Fundamental studies and applications of electrical and spin properties in narrow gap semiconductors
Fundamental studies and applications of electrical and spin properties in narrow gap semiconductors
窄带隙半导体电学性质和自旋性质的基础研究及应用
批准号：
15K06000
负责人：
Manago Takashi
金额：
$3.16万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
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Micro-magnetic Field Measurement using Hall Element
使用霍尔元件的微磁场测量
使用霍尔元件的微磁场测量
DOI：
10.1541/ieejsmas.138.117
发表时间：
2018
期刊：
IEEJ Transactions on Sensors and Micromachines
影响因子：
--
作者：
[眞砂 卓史, 笠原 健司, 西村 和浩, 柴﨑 一郎]
通讯作者：
柴﨑 一郎
高感度薄膜ホール素子開発と応用
高灵敏度薄膜霍尔元件的开发及应用
高灵敏度薄膜霍尔元件的开发及应用
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Naoki TANAKA, Takashi HIKAGE, Toshio NOJIMA, 日景 隆，大勝隆平，井山隆弘，大西輝夫, 柴崎 一郎, 山岸誠知，日景 隆，佐々木元晴，中村光貴，鷹取泰司, 柴崎 一郎]
通讯作者：
柴崎 一郎
Molecular Beam Epitaxy 2nd edition
分子束外延第二版
分子束外延第二版
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Henini M, editor., Ichiro Shibasaki and Naohiro Kuze (chapter 31)]
通讯作者：
Ichiro Shibasaki and Naohiro Kuze (chapter 31)
InSb薄膜ホール素子による微小磁場計測
使用InSb薄膜霍尔元件测量微磁场
使用InSb薄膜霍尔元件测量微磁场
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Naoki Tanaka, Takashi Hikage, and Toshio Nojima, 眞砂 卓史，笠原 健司，柴崎 一郎]
通讯作者：
眞砂 卓史，笠原 健司，柴崎 一郎
InSb及びInAsSb量子井戸の製作とバンド構造
InSb和InAsSb量子阱的制备和能带结构
InSb和InAsSb量子阱的制备和能带结构
DOI：
--
发表时间：
2016
期刊：
影响因子：
--
作者：
[柴崎 一郎, 眞砂 卓史, 石田 修一, 外賀 寛孝, 岡本 敦]
通讯作者：
岡本 敦
共 36 条
Transport properties of narrow gap semiconductor films under magnetic field and development of a high-sensitive current sensor
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批准号：19K04498
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$2.75万
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财政年份：2019
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负责人：Manago Takashi
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依托单位：