Study on high efficiency multi stacked quantum dot laser with thin barrier layer

薄势垒层高效多层堆叠量子点激光器研究

• 批准号: 15K06041
• 负责人: GOSHIMA Keishiro
• 金额: $ 3.16万
• 依托单位: Aichi Institute of Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2015
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2015-04-01 至 2018-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-15K06041/
• 关键词: 半導体工学; 低次元デバイス; 化合物半導体; 量子ドット; 半導体物性; マイクロナノデバイス; 量子エレクトロニクス; 半導体量子ドット; 半導体光物性; マイクロ・ナノデバイス

项目成果

自己結合効果による端子間電圧変化を用いたレーザ測距のための信号処理

利用自耦合效应引起的端电压变化进行激光测距信号处理

• 发表时间: 2016
• 作者: 吉松剛;五島敬史郎;青木道宏;津田紀生;山田諄
• 通讯作者: 山田諄

半導体レーザの自己結合効果を利用したレーザマイクロホンの超音波帯域特性

利用半导体激光器自耦合效应的激光麦克风超声频段特性

• 发表时间: 2016
• 期刊: IEEJ Transactions on Electronics, Information and Systems
• 作者: Guo-Wei Lu;Tianwai Bo; Takahide Sakamoto; Kouich Akahane; Benjamin Puttnam; Calvin Chun-Kit Chan; Naokatsu Yamamoto;水嶋大輔，吉松剛，五島敬史郎，津田紀生，山田諄
• 通讯作者: 水嶋大輔，吉松剛，五島敬史郎，津田紀生，山田諄

積層量子ドット間距離の違いによる中間バンド形成の観察

观察由于堆叠量子点之间的距离差异而形成的中间带

• 发表时间: 2015
• 作者: 犬飼圭裕;五島敬史郎,津田紀生;菅谷武芳
• 通讯作者: 菅谷武芳

Nanophotonic devices based on semiconductor quantum nanostructures

基于半导体量子纳米结构的纳米光子器件

• 发表时间: 2016
• 期刊: IEICE TRANS,ELECTRON,
• 作者: Kazuhiro KOMORI;Takeyoshi SUGAYA;Takeru AMANO and Keishiro GOSHIMA
• 通讯作者: Takeru AMANO and Keishiro GOSHIMA

High Efficiency Light Emission using silicon P-I-N structure with alkali meal doping

使用碱金属掺杂的硅 P-I-N 结构实现高效率发光

• 发表时间: 2017
• 作者: W Niwa;R Kobayashi;Y Sugishita;and K;Goshima
• 通讯作者: Goshima