Hochdruckuntersuchungen am Halbleiter-Metall-Übergang von Fe1-xCoxSi1-yGey
Hochdruckuntersuchungen am Halbleiter-Metall-Übergang von Fe1-xCoxSi1-yGey
批准号:
5438175
负责人:
Professor Dr. Joachim Schoenes
金额:
$0.0万
依托单位国家:
德国
项目类别:
Research Grants
财政年份:
2004
资助国家:
德国
项目状态:
已结题
起止时间:
2003-12-31 至 2007-12-31
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英文摘要
Wegen der den Kondo-Isolatoren ähnlichen elektronischen Eigenschaften hat das Interesse an der Verbindung FeSi in den letzten Jahren stark zugenommen [1-9]. Wird der paramagnetische Halbleiter FeSi mit Co dotiert, so schließt sich ab einer Co-Konzentration 5 at.% die Bandlücke, und ein metallisches Verhalten mit ferromagnetischer Ordnung unterhalb einer kritischen Temperatur tritt auf. Für kleinere Co-Konzentrationen sagen Theorien einen meta-magnetischen Phasenübergang bei Anlegen eines Magnetfeldes voraus. Es wird erwartet, dass durch geeignete Substitution von Si mit Ge das hierzu notwendige Magnetfeld in den Bereich im Labor realisierbarer Felder gebracht werden kann [10,11]. Das hier vorgeschlagene Projekt sieht vor, Einkristalle des Materials Fe1-xCoxSi1-yGey mittels Triarc-Czochralski-Kristallzucht herzustellen und eine systematische Untersuchung zahlreicher physikalischer Eigenschaften an den Proben gleicher "Batches" durchzuführen. Dies ist bei diesen Materialien besonders wichtig, da bisher vorliegende Experimente zu oftmals widersprüchlichen Ergebnissen geführt haben. Geplant sind druckabhängige Messungen des Volumens, der elektrischen Leitfähigkeit, des Magnetowiderstandes, der magnetischen Suszeptibilität und der Ramanstreuung. Darüber hinaus sollen Photoemissionsmessungen im Ultrahochvakuum durchgeführt werden.
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会议论文
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批准号:5238836
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项目类别:Research Grants
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资助金额:$0.0万
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财政年份:2000
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负责人:Professor Dr. Joachim Schoenes
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依托单位:
国内基金
海外基金
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