The real space observation of non-local electrical conductivity by low temperature scanning tunneling potentiometry

低温扫描隧道电位法实空间观测非局域电导率

基本信息

  • 批准号：
    16K04956
  • 负责人：
    Hamada Masayuki
  • 金额：
    $ 3.16万
  • 依托单位：
    The University of Tokyo
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2016
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2016-04-01 至 2020-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
低温走査トンネルポテンショメトリーの開発
低温扫描隧道电位计的研制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    浜田 雅之;長谷川 幸雄
  • 通讯作者：
    長谷川 幸雄
Si(111)-(7x7)表面の走査トンネルポテンショメトリー測定
Si(111)-(7x7) 表面的扫描隧道电位测量
  • DOI：
  • 发表时间：
    2020
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    佐々木 樹;孫 麗娜;黒澤 優;高橋 辰宏;硯里 善幸;A. Yurtsever,P. Wang,F. Priante,Y. M. Jaques,K. Miyazawa,K. Miyata,M. J,MacLachlan,A. S. Foster,T. Fukuma;浜田 雅之，Hung-Hsiang Yang，長谷川 幸雄
  • 通讯作者：
    浜田 雅之，Hung-Hsiang Yang，長谷川 幸雄
Si(111)-(7x7)表面上の位相境界における電気伝導評価
Si(111)-(7x7) 表面相界的导电评估
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    浜田雅之;Hung-Hsiang Yang，長谷川幸雄
  • 通讯作者：
    Hung-Hsiang Yang，長谷川幸雄
The observation of the surface conductivity on the Si(111)-7x7 surface by scanning tunneling potentiometry
扫描隧道电位法观察Si(111)-7x7表面的表面电导率
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Masayuki Hamada;Hung-Hsiang Yang;Yukio Hasegawa
  • 通讯作者：
    Yukio Hasegawa
The measurement of the surface conductivity on the Si(111)-7x7 surface by scanning tunneling potentiometry
扫描隧道电位法测量Si(111)-7x7表面的表面电导率
  • DOI：
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Masayuki Hamada;Hung-Hsiang Yang;Yukio Hasegawa
  • 通讯作者：
    Yukio Hasegawa
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Hamada Masayuki其他文献

表面超構造で制御する原子層の電子物性
由表面超结构控制的原子层的电子特性
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hamada Masayuki;Hasegawa Yukio;Yoichi Shiota;川崎忠寛;松田巌
  • 通讯作者：
    松田巌
高分解能化を目指したSEMレンズの開発
开发以高分辨率为目标的SEM镜头
  • DOI：
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hamada Masayuki;Hasegawa Yukio;Yoichi Shiota;川崎忠寛
  • 通讯作者：
    川崎忠寛

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CAREER: Tailoring the Surface State Conduction in Semiconductor and Topological Insulator Nanowires
职业：定制半导体和拓扑绝缘体纳米线的表面态传导
  • 批准号：
    1151534
  • 财政年份：
    2012
  • 资助金额：
    $ 3.16万
  • 项目类别：
    Continuing Grant
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