Study of multi-band solar cells using dilute nitride semiconductors
Study of multi-band solar cells using dilute nitride semiconductors
批准号:
16H05895
负责人:
Yagi Shuhei
金额:
$15.64万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份:
2016
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2016-04-01 至 2020-03-31
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n型GaAs:N δドープ超格子の電気的特性評価
n型GaAs:N δ掺杂超晶格的电学表征
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[加藤 諒, 八木 修平, 岡田 至崇, 矢口 裕之]
通讯作者:
矢口 裕之
Optical Detection of Nonradiative Recombination Levels via Intermediate Band in GaAs:N δ-Doped Superlattices
通过 GaAs:N δ 掺杂超晶格中的中间带进行非辐射复合能级的光学检测
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[N. Kamata, K. Nagata, Md. D. Haque, Z. Honda, S. Yagi, H. Yaguchi, and Y. Okada]
通讯作者:
and Y. Okada
(111)基板上に作製した窒素δドープGaAs中の単一等電子トラップによる励起子分子発光
(111) 衬底上制作的氮 δ 掺杂 GaAs 中单个等电子陷阱导致的激子分子发射
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[高岡 祥平, 高宮 健吾, 八木 修平, 挟間 優治, 秋山 英文, 矢口 裕之]
通讯作者:
矢口 裕之
Optical Characterization of Nonradiative Centers in GaAs:N δ-Doped Superlattices by Using Below-Gap Excitation Light
使用带隙下激发光对 GaAs:N δ 掺杂超晶格中非辐射中心进行光学表征
DOI:
--
发表时间:
2019
期刊:
影响因子:
--
作者:
[M.D. Haque, N. Kamata, A.Z.M.T. Islam, Md. Julkarnain, S. Yagi, H. Yaguchi, and Y. Okada]
通讯作者:
and Y. Okada
Electrical characterization of n-type GaAs:N δ-doped superlattices
n 型 GaAs:N δ 掺杂超晶格的电学表征
DOI:
--
发表时间:
2017
期刊:
影响因子:
--
作者:
[Ryo Kato, Shuhei Yagi, Yoshitaka Okada, and Hiroyuki Yaguchi]
通讯作者:
and Hiroyuki Yaguchi
共 23 条