VGF-Einkristallzüchtung unter dem Einfluss externer Magnetfelder (B 07)

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Das Ziel des Vorhabens besteht in der systematischen Erprobung und Verbesserung der im bisherigen Projektverlauf entwickelten VGF-Magnetfeld- Technologie zur Züchtung von einkristallinen Halbleitern unter optimierten Strömungsbedingungen. Dazu sind umfangreiche Studien zu den Einsatzmöglichkeiten und –grenzen der Technologie geplant. Eine große Bedeutung besitzen dabei auch neue Verfahren und Methoden, wie z. B. die Anwendung zeitmodulierter Felder und die in situ-Messung der Strömungsgeschwindigkeit in der Schmelze, die erstmals bei der Einkristallzüchtung eingesetzt werden sollen.