Stochastic fabrication process of single-electron devices comprising a two-dimensional random array of conductive nanoparticle
Stochastic fabrication process of single-electron devices comprising a two-dimensional random array of conductive nanoparticle
包含二维随机导电纳米颗粒阵列的单电子器件的随机制造过程
批准号：
17K04979
负责人：
Mizugaki Yoshinao
金额：
$3.08万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2017
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2017-04-01 至 2021-03-31
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A double-flux-quantum amplifier with a single flux-biasing line
具有单磁通偏置线的双磁通量子放大器
具有单磁通偏置线的双磁通量子放大器
DOI：
10.1088/1742-6596/1054/1/012062
发表时间：
2018
期刊：
Journal of Physics: Conference Series
影响因子：
--
作者：
[Arai Yuma, Urai Yoshiaki, Watanabe Tomoki, Higuchi Komei, Shimada Hiroshi, Mizugaki Yoshinao]
通讯作者：
Mizugaki Yoshinao
Rapid Single-Flux-Quantum NOR Logic Gate Realized through the Use of Toggle Storage Loop
通过使用切换存储环路实现快速单通量量子 NOR 逻辑门
通过使用切换存储环路实现快速单通量量子 NOR 逻辑门
DOI：
10.1587/transele.2020ecs6005
发表时间：
2020
期刊：
IEICE Transactions on Electronics
影响因子：
0.5
作者：
[MIZUGAKI Yoshinao, YAMAZAKI Koki, SHIMADA Hiroshi]
通讯作者：
SHIMADA Hiroshi
Numerical Simulation of Single-Electron Tunneling in Random Arrays of Small Tunnel Junctions Formed by Percolation of Conductive Nanoparticles
导电纳米粒子渗流形成的小隧道结随机阵列中单电子隧道效应的数值模拟
导电纳米粒子渗流形成的小隧道结随机阵列中单电子隧道效应的数值模拟
DOI：
10.1587/transele.e101.c.836
发表时间：
2018
期刊：
IEICE Transactions on Electronics
影响因子：
0.5
作者：
[MIZUGAKI Yoshinao, SHIMADA Hiroshi, HIRANO-IWATA Ayumi, HIROSE Fumihiko]
通讯作者：
HIROSE Fumihiko
トグル・ストレージ・ループを有する単一磁束量子NOTゲートのバイアスマージン改善と多入力否定論理ゲートへの拡張
带切换存储环路的单通量量子非门的偏置裕度改进以及多输入非逻辑门的扩展
带切换存储环路的单通量量子非门的偏置裕度改进以及多输入非逻辑门的扩展
DOI：
--
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山崎洸生, 島田 宏, 水柿義直]
通讯作者：
水柿義直
Enhanced voltage swing of RSFQ output amplifiers equipped with double-stack SQUIDs
配备双层 SQUID 的 RSFQ 输出放大器的电压摆幅增强
配备双层 SQUID 的 RSFQ 输出放大器的电压摆幅增强
DOI：
--
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Senami Masato, Matsunaga Shunji, Y. Mizugaki， K. Higuchi， and H. Shimada]
通讯作者：
Y. Mizugaki， K. Higuchi， and H. Shimada
共 63 条
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