Rashba 半导体体中自旋电荷转换的极性控制-猫眼课题宝

Rashba 半导体体中自旋电荷转换的极性控制

批准号：

17H04846

负责人：

Yoshimi Ryutaro

金额：

$16.56万

依托单位：

依托单位国家：

日本

项目类别：

Grant-in-Aid for Young Scientists (A)

财政年份：

2017

资助国家：

日本

项目状态：

已结题

起止时间：

2017-04-01 至 2020-03-31

来源：

关键词：

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大块 Rashba 铁磁体中的单向磁阻

DOI： --

发表时间： 2019

期刊：

影响因子： --

作者：

[R. Yoshimi, K. Yasuda, A. Tsukazaki, M. Kawamura, K. S. Takahashi, M. Kawasaki and Y. Tokura]

通讯作者： M. Kawasaki and Y. Tokura

海外基金

Polarity control of spin-charge conversion in bulk Rashba semiconductor