课题基金 / 基金详情

波長多重光干渉リングを用いたスピン波分散型演算回路の開発

波長多重光干渉リングを用いたスピン波分散型演算回路の開発
利用波长复用光学干涉环开发自旋波色散计算电路
批准号:
18J12753
负责人:
吉本 拓矢
金额:
$1.22万
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
2018
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
2018-04-25 至 2020-03-31

项目摘要

项目成果

相关文献

中文摘要
翻译
点击翻译按钮获取中文摘要
英文摘要
スピンの歳差運動の波である,スピン波(SW)をキャリアとして利用したSW回路は,低消費電力な素子を実現可能な技術として注目されている。しかし,SWは伝搬距離が短いためSW回路間の通信が課題となっていた。本研究課題の目的は,光配線技術をSW回路間に適用したSW分散型演算回路の開発である。SW回路の演算結果を,光を用いて検出し,次段のSW回路へと接続することで,SW回路を用いた情報処理システムの構築を可能にする。本年度は,SW分散型演算回路の小型化に必要な,薄膜イットリウム鉄ガーネット(YIG)中を伝搬するSWを用いたNANDゲートの動作実証と,格子不整合によるYIGの磁気異方性の変調を行った。従来のSW論理ゲートは,SW回路の演算結果を取得する光干渉リングと比べて,サイズが桁違いに大きく,集積化が困難であった。論理ゲートの小型化には,SWの短波長化が有効であるが,導波路としてSWがシングルモードで伝搬可能な薄膜YIGを用いる必要があった。そこで,膜厚350ナノメートルのYIG上に,NANDゲートとして動作する3入力1出力のSW位相干渉器を作製した。YIGの不要な部分を金属でカバーする,メタルクラッド構造を用いて位相干渉器を作製した結果,SWの干渉によるNANDゲートとしての動作を実証した。一方,磁性体を薄膜化すると,形状磁気異方性の影響によって,SW励起に必要な磁界が大きくなる。SW分散型演算回路を小型化するには,YIGを磁化飽和させるために必要な磁界の低減も必要である。そこで,基板とYIGの格子不整合に起因する応力を利用して,磁気異方性を変調した。異なる格子定数を持つ複数の基板上にYIGを形成し,SWの伝搬特性を評価した結果,最も大きな応力が加わったネオジムガリウムガーネット基板を用いることで,磁化飽和に必要な磁界を半分以下に抑えることに成功した。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Effect of magnetoelastic anisotropy modulation on spin wave propagation properties of yttrium iron garnet films
磁弹性各向异性调制对钇铁石榴石薄膜自旋波传播特性的影响
DOI: --
发表时间: 2018
期刊:
影响因子: --
作者: [Takuya Yoshimoto, Taichi Goto, Takuya Iwamoto, Yuichi Nakamura, Hironaga Uchida, Caroline A. Ross, Mitsuteru Inoue]
通讯作者: Mitsuteru Inoue
Interference of forward volume spin waves using yttrium iron garnets
使用钇铁石榴石干涉前向体积自旋波
DOI: --
发表时间: 2018
期刊:
影响因子: --
作者: [Taichi Goto, Takuya Yoshimoto, Caroline A. Ross, Koji Sekiguchi, Alexander B. Granovsky, Yuichi Nakamura, Hironaga Uchida, Mitsuteru Inoue]
通讯作者: Mitsuteru Inoue
DOI: 10.1002/aelm.201800106
发表时间: 2018-07
期刊: Advanced Electronic Materials
影响因子: 6.2
作者: [T. Yoshimoto;T. Goto;Kei Shimada;Bungo Iwamoto;Yuichi Nakamura;H. Uchida;C. Ross;M. Inoue]
通讯作者: T. Yoshimoto;T. Goto;Kei Shimada;Bungo Iwamoto;Yuichi Nakamura;H. Uchida;C. Ross;M. Inoue
DOI: --
发表时间: 2019
期刊:
影响因子: --
作者: [吉本拓矢, 後藤太一, 岩本文吾, 中村雄一, 内田裕久, 井上光輝]
通讯作者: 井上光輝
10