次世代光源開発に資する窒化物系混晶半導体サブギャップ領域の光・熱物性制御指針解明
次世代光源開発に資する窒化物系混晶半導体サブギャップ領域の光・熱物性制御指針解明
阐明控制氮化物基混晶半导体子带隙区域的光学和热性能的指南，有助于下一代光源的开发
批准号：
22K04956
负责人：
今井 大地
金额：
$2.66万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2022
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2022-04-01 至 2025-03-31
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英文摘要
LD動作時の光吸収損失や熱発生の根源となるためその制御が重要でありながら、窒化物系混晶半導体薄膜のサブギャップ領域の電子状態を介して起こる光吸収や熱発生過程には不明な点が多い。本研究では申請者が科研費若手研究(20K15182)で提案した微小な吸収係数の定量評価手法を更に発展させ、サブギャップ領域における光吸収過程（吸収係数）とそれに伴う熱発生過程の解析、更には熱輸送過程（熱伝導率）を定量評価する手法を構築し、LD素子内部での光吸収や熱発生の本質的制御指針の解明を目指す。令和4年度は、光熱偏向分光(PDS)法を中心に青・緑色面発光レーザーの多層膜反射鏡材料であるAlInN混晶薄膜におけるサブギャップ吸収過程の解析を進め、PDS法による吸収係数測定精度の検討、AlInN混晶においてサブギャップ吸収を引き起こす起源の解析を進めた。また熱輸送過程に関して、PDS信号の位相成分を熱拡散方程式に基づくモデルにより解析することで熱伝導率の解析に取り組んだ。
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
フォノン輸送過程解析に基づく窒化物系光半導体のデバイス物理解明
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批准号：13J04851
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.28万
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财政年份：2013
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负责人：今井 大地
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依托单位：
海外基金
