Tieftemperatur XSTM an GaAsN

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Das Projekt befasst sich mit dem Einbau von Stickstoff beim epitaktischen Wachstum von Halbleiterschichten der Gruppe Hl Arsenide. Diese Arsenid- Nitrid-Strukturen mit niedrigem Stickstoffgehalt (< 5%) zeichnen sich durch eine extreme nichtlineare Abhängigkeit der Bandlücke und Gitterkonstante von der Stickstoffkonzentration aus und machen sie deshalb für optoelektronische Anwendungen besonders im langwelligen Spektralbereich interessant. In diesem Projekt soll insbesondere die atomare Konfiguration der Gruppe-lll-ArsenidNitrid Strukturen untersucht werden. Gleichzeitig sollen Fähigkeiten im Umgang, Aufbau und Betrieb mit einem Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskop für Querschnittsflächen von Halbleiterproben erlernt werden.