Tieftemperatur XSTM an GaAsN

GaAsN 上的低温 XSTM

• 批准号: 58283641
• 负责人: Professor Dr. Holger Eisele
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Festkörperphysik
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Grants
• 财政年份: 2007
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2006-12-31 至 2008-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/58283641?language=en
• 关键词: Tieftemperatur; XSTM; GaAsN

Das Projekt befasst sich mit dem Einbau von Stickstoff beim epitaktischen Wachstum von Halbleiterschichten der Gruppe Hl Arsenide. Diese Arsenid- Nitrid-Strukturen mit niedrigem Stickstoffgehalt (< 5%) zeichnen sich durch eine extreme nichtlineare Abhängigkeit der Bandlücke und Gitterkonstante von der Stickstoffkonzentration aus und machen sie deshalb für optoelektronische Anwendungen besonders im langwelligen Spektralbereich interessant. In diesem Projekt soll insbesondere die atomare Konfiguration der Gruppe-lll-ArsenidNitrid Strukturen untersucht werden. Gleichzeitig sollen Fähigkeiten im Umgang, Aufbau und Betrieb mit einem Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskop für Querschnittsflächen von Halbleiterproben erlernt werden.

该项目最好是与砷化物集团的重金属矿床上的粘结剂的制造相结合。这种砷-氮-结构的基本粘性（< 5%）是通过一种极低的带宽和粘性常数来实现的，它可以使光电子器件的设计在语言上更有意义。在该项目中，将采用三砷氮化合物结构的原子结构。Gleichzeitig sollen Fähigkeiten im Umgang，Aufbau und Betrieb mit einem Tieftemperatur-Rastertunnelmikroskop für Querschnittsflächen von Halbleiterproben erlernt韦尔登。