Plasma annealing for defect passivation in semiconductor materials
Plasma annealing for defect passivation in semiconductor materials
用于半导体材料缺陷钝化的等离子体退火
批准号：
23K03374
负责人：
布村 正太
金额：
$3.0万
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2023
资助国家：
日本
项目状态：
未结题
起止时间：
2023-04-01 至 2026-03-31
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会议论文
微粒子プラズマ中の波動と物質創製に関する研究
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批准号：02J08764
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$1.41万
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财政年份：2002
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负责人：布村 正太
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依托单位：
プラズマ中における微粒子の輸送過程
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批准号：96J03254
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项目类别：Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1998
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负责人：布村 正太
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依托单位：