Beschichtungsanlage

生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家：生产厂家Es stellt e Ersatzbeschaffung frine anlagage baujah1987 （MRC 463）和eine nicht mehr functionst<s:1> chtige anlagage baujah1990 （CLC 9000）。1 .在德国德国，在德国德国，在德国德国，在德国德国，在德国德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，Qualität，在德国，在德国，ermöglichen。1 .微机械扫描仪；1 .材料材料；2 .材料材料；3 .材料材料；2 .材料材料；3 .材料材料；3 .材料材料；3 .材料材料；3 .材料材料；3 .材料材料；sowie gesputterte Barriere- und Startschichten (Ta, TaN, TiN) fr die Atomlagenabscheidung (ALD) von Kupfer- und Kupferoxidschichten。<s:1>所有die die erwähnten Prozesse werden derungen and die Homogenität der abzuscheidenden Schichten bei meist geringer thermischer Belastung fbr die Substrate gestellt。

Das beantragte Forschungsgroßgerät soll zur Beschichtung von Siliziumwafern bis 150 mm Durchmesser und Spezialsubstraten (Folien, Kunststoffe, Keramik) mit vorwiegend metallischen Schichten genutzt werden. Es stellt eine Ersatzbeschaffung für eine Anlage Baujahr 1987 (MRC 463} und eine nicht mehr funktionstüchtige Anlage Baujahr 1990 (CLC 9000) dar. Die Anschaffung der Anlage ist dringend erforderlich, insbesondere um die Kooperationsfähigkeit mit Forschungspartnern und allgemein die Wettbewerbsfähigkeit des Zentrums für Mikrotechnologien zu erhalten und die Realisierung der anstehenden Forschungs- und Entwicklungsaufgaben in entsprechend hoher Qualität weiter zu ermöglichen. Konkrete Beispiele für die Nutzung der Anlage für laufende und geplante Forschungsprojekte sind die Herstellung von Reflexionsschichten und entsprechenden Schutzschichten auf Silizium für mikromechanische Scanner, die Erzeugung biologisch kompatibler Materialien auf Kunststoffen und Spezialfolien und die Herstellung vorwiegend gesputterter Barriere- und Startschichten (TiN, TaN, Ta, Cu, W, AI) für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Metallen aus neu entwickelten Precursoren, sowie gesputterte Barriere- und Startschichten (Ta, TaN, TiN) für die Atomlagenabscheidung (ALD) von Kupfer- und Kupferoxidschichten. Für all die erwähnten Prozesse werden sehr hohe Anforderungen an die Homogenität der abzuscheidenden Schichten bei meist geringer thermischer Belastung für die Substrate gestellt.