半導体レーザにおける不純物濃度と電子遷移機構に関する研究
半導体レーザにおける不純物濃度と電子遷移機構に関する研究
半导体激光器杂质浓度及电子跃迁机理研究
批准号：
X00210----575244
负责人：
山田 實
金额：
$0.51万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1980
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1980 至 --
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量子井戸構造半導体レーザの利得機構の研究
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批准号：59750294
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.51万
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财政年份：1984
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负责人：山田 實
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依托单位：
半導体レーザーにおけるモード競合雑音の研究
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批准号：58750302
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1983
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负责人：山田 實
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依托单位：
半導体レーザの縦モード特性に関する研究
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批准号：56750262
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.58万
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财政年份：1981
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负责人：山田 實
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依托单位：
半導体レーザの発振モードに関する研究
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批准号：X00210----475294
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.45万
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财政年份：1979
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负责人：山田 實
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依托单位：