A_2BX_4型ハロゲン化合物の物質探索とその経験則の研究

A_2BX_4型卤素化合物材料的搜寻及其经验规律研究

基本信息

  • 批准号:
    08874024
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.15万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Exploratory Research
  • 财政年份:
    1996
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    1996 至 无数据
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

1.Tl_2ZnI_4、Tl_2CoI_4について1)強誘電体Tl_2ZnI_4(下司により強誘電性が見い出された)に続いて、本研究課題の初期の段階でTl_2CoI_4を合成し、強誘電性を示すことを見いだした。2)Tl_2ZnI_4、Tl_2CoI_4とも熱測定(DTA)により、高温側、融点までにはα-β転移と呼ばれる構造相転移に対応するような異常が存在しないことが分かった。3)この系統の物質では、λ型の誘電率の異常(T_c)の下に、肩状の異常(T_s)を伴うことが分かっている。置換効果としては、一般式A_2BX_4で表した場合、強誘電体K_2ZnI_4とK_2CoI_4のAサイトを、それぞれKイオンよりも大きくて重いTlイオンに置換することによって、転移点(T_c,T_s)が低温側にシフトすることを明らかにできた。2.混晶系(Rb_<1-x>K_x)_2CoI_4について1)高温側に、α-β転移を持つRb_2CoI_4と、我々が強誘電性を発見したK_2CoI_4との混晶系(Rb_<1-x>K_x)_2CoI_4の結晶育成を行い、DTAにより、K_2CoI_4にはα-β転移が存在しないことを明らかにした。2)Rb_2CoI_4ではT_cが30Kと低いため、T_sに対応する異常は確認されていなかったが、今回上記の混晶系において、仕込み組成x=0.35で明瞭にT_sが現れることを明らかにした。3)AサイトのRbイオンをそれよりも小さくて軽いKイオンに置換していくと、転移点(T_c,T_s)が高温側へシフトしていくことが分かった。この傾向は、混晶系(Rb_<1-x>K_x)_2ZnI_4においても既に確認している。
1.Tl_2ZnI_4, Tl_2CoI_4 electrical equipment 1) strengthen the electrical equipment Tl_2ZnI_4 (the lower division is responsible for the electrical equipment), the initial stage of this research project is to synthesize TL _ 2CoI_4, and the electrical properties are displayed to show the electrical performance. 2) Tl_2ZnI_4, Tl_2CoI_4 temperature measurement (DTA), high temperature temperature, melting point, phase shift, phase shift, temperature, temperature, 3) low temperature, low temperature, and shoulder-shaped equipment in the system, such as the normal temperature (TCC) and the shoulder (TCS). In general, the A_2BX_4 table is closed, the battery KT2ZnI4K _ 2CoI_4 An is closed, the battery is K2ZnI4K _ 2CoI_4, and the temperature is sensitive to the temperature of the Tl, the temperature of the transfer point (TEMT). two。 Mixed crystal system (Rb_<1-x>K_x) _ 2CoI_4 transition temperature 1) high temperature temperature, α-β transfer temperature hold RB _ 2CoI_4 temperature, our strong electrical properties see mixed crystal system (Rb_<1-x&gt) K_2CoI_4 thin film. There is a significant difference in the growth of DTA, DTA and K_2CoI_4 α-β transfer between kalix) and K_2CoI_4 crystals. 2) Rb_2CoI_4

项目成果

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专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
F.Shimizu et al.: "Phase Transitions in the Solid Solution K_2ZnI_4-Rb_2ZnI_4" Journal of the Korean Physical Society. 29. S406-S463 (1996)
F.Shimizu 等人:“固溶体 K_2ZnI_4-Rb_2ZnI_4 中的相变”韩国物理学会杂志。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
F.Shimizu et al.: "Ferroelectricity in Tl_2CoI_4" Journal of the Physical Society of Japan. 65. 870-871 (1996)
F.Shimizu 等人:“Tl_2CoI_4 中的铁电性”日本物理学会杂志。
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
F.Shimizu et al.: "Dielectric Properties of Cs_2BX_4(B=Zn,Co ; X=Cl,Br,I)" Ferroelectrics. 185. 301-304 (1996)
F.Shimizu 等人:“Cs_2BX_4(B=Zn,Co ; X=Cl,Br,I) 的介电性能”铁电体。
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