シリコン中のニッケル不純物によるキャリア放出および捕獲に関する研究
シリコン中のニッケル不純物によるキャリア放出および捕獲に関する研究
批准号:
58750016
负责人:
太田 英二
金额:
$0.6万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份:
1983
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1983 至 --
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会议论文
燐化亜鉛太陽電池の高効率化
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批准号:02203123
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research on Priority Areas
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资助金额:$2.94万
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财政年份:1990
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负责人:太田 英二
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依托单位:
シリコン表面近傍におけるプロセス誘起欠陥準位の発生条件
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批准号:01550022
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项目类别:Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额:$1.28万
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财政年份:1989
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负责人:太田 英二
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依托单位:
シリコン中のバナジウム不純物準位とキャリア放出率および捕獲断面積に関する研究
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批准号:56750017
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项目类别:Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额:$0.51万
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财政年份:1981
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负责人:太田 英二
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依托单位: