化合物半導体‐絶縁膜界面の界面準位の光イオン化過程に関する基礎研究
化合物半導体‐絶縁膜界面の界面準位の光イオン化過程に関する基礎研究
化合物半导体-绝缘膜界面界面态光电离过程的基础研究
批准号：
59750001
负责人：
澤田 孝幸
金额：
$0.64万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
财政年份：
1984
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1984 至 --
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会议论文
InGaAs/InPヘテロ構造MISFETの光応答に関する基礎研究
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批准号：58750001
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.63万
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财政年份：1983
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负责人：澤田 孝幸
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依托单位：
陽極酸化プロセスによるAl_2O_3-InP超高速n-チャネルMOSFETの製作
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批准号：56750192
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.51万
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财政年份：1981
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负责人：澤田 孝幸
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依托单位：
InP-陽極酸化膜界面の電気的特性に関する研究
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批准号：X00210----575002
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项目类别：Grant-in-Aid for Encouragement of Young Scientists (A)
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资助金额：$0.51万
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财政年份：1980
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负责人：澤田 孝幸
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依托单位：