イオン衝撃脱離測定によるシリコン表面上の二元貴金属吸着層の構造と結合エネルギー
イオン衝撃脱離測定によるシリコン表面上の二元貴金属吸着層の構造と結合エネルギー
批准号:
97J01538
负责人:
石川 大
金额:
$1.15万
依托单位:
依托单位国家:
日本
项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
财政年份:
1998
资助国家:
日本
项目状态:
已结题
起止时间:
1998 至 1999
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会议论文
腸内細菌叢移植の有効性向上に寄与するドナー・患者間のマッチング手法の確立
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批准号:24K11138
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项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额:$3.0万
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财政年份:2024
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负责人:石川 大
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依托单位: