熱刺激電流法を用いた MOS 低密度界面準位の精密測定法の開発
熱刺激電流法を用いた MOS 低密度界面準位の精密測定法の開発
热激电流法MOS低密度界面态精密测量方法的开发
批准号：
58550206
负责人：
田中 国昭
金额：
$0.83万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
财政年份：
1983
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1983 至 --
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会议论文
充電 TSC による MNOS メモリデバイスの精密電荷解析法の開発
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批准号：60550225
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$1.28万
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财政年份：1985
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负责人：田中 国昭
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依托单位：
室温動作の CdTe 放射線検知器の開発
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批准号：X00095----465105
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
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资助金额：$0.31万
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财政年份：1979
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负责人：田中 国昭
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依托单位：