半導体中でほどほどに深い準位をもつ不純物をめぐる光物性ダイナミックス
半導体中でほどほどに深い準位をもつ不純物をめぐる光物性ダイナミックス
半导体中中等深度杂质周围的光学物理动力学
批准号：
58420013
负责人：
大塚 頴三
金额：
$12.93万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for General Scientific Research (A)
财政年份：
1983
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
1983 至 1984
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会议论文
中性でなく中性に見える不純物散乱中心の研究
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批准号：56460026
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$5.63万
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财政年份：1981
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负责人：大塚 頴三
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依托单位：
半導体中の巨大電子・正孔液滴の物性
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批准号：X00080----446025
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$4.35万
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财政年份：1979
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负责人：大塚 頴三
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依托单位：
高励起されたGeにおける光物性とサイクロトロン共鳴
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批准号：X00040----020225
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项目类别：Grant-in-Aid for Special Project Research
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资助金额：$2.88万
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财政年份：1975
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负责人：大塚 頴三
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依托单位：
半導体における励起子のサイクロトロン共鳴と関連せる現象の研究
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批准号：X00080----746014
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (B)
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资助金额：$2.37万
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财政年份：1972
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负责人：大塚 頴三
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依托单位：
量子極限における遮蔽されたイオン化不純物散乱の研究
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批准号：X45090-----84020
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.64万
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财政年份：1970
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负责人：大塚 頴三
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依托单位：
InSbのレーザー, サイクロトロン共鳴
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批准号：X43090-----84015
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项目类别：Grant-in-Aid for General Scientific Research (C)
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资助金额：$0.38万
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财政年份：1968
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负责人：大塚 頴三
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依托单位：