Coherent control of nuclear spin using spin injection into semiconductor for application to quntum information devices
Coherent control of nuclear spin using spin injection into semiconductor for application to quntum information devices
利用自旋注入半导体对核自旋进行相干控制，应用于量子信息器件
批准号：
25286039
负责人：
UEMURA TETSUYA
金额：
$11.9万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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University of Wisconsin-Madison(米国)
威斯康星大学麦迪逊分校（美国）
威斯康星大学麦迪逊分校（美国）
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Transient analysis of oblique Hanle signals observed in GaAs based on a time evolution of nuclear spin temperature
基于核自旋温度随时间演化的 GaAs 中观测到的斜汉勒信号的瞬态分析
基于核自旋温度随时间演化的 GaAs 中观测到的斜汉勒信号的瞬态分析
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Zhichao Lin, Mahmoud Rasly, Masafumi Yamamoto, and Tetsuya Uemura]
通讯作者：
and Tetsuya Uemura
Highly efficient gate control of spin signals in GaAs
GaAs 中自旋信号的高效栅极控制
GaAs 中自旋信号的高效栅极控制
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[T. Miyakawa, T. Akiho. Y. Ebina, M. Yamamoto, T. Uemura]
通讯作者：
T. Uemura
ホイスラー合金のハーフメタル特性に対する非化学量的組成の影響とMTJのTMR特性
非化学计量成分对Heusler合金半金属性能及MTJ TMR性能的影响
非化学计量成分对Heusler合金半金属性能及MTJ TMR性能的影响
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa, Y. Takahashi, 山本眞史，植村哲也]
通讯作者：
山本眞史，植村哲也
Temperature dependence of spin-dependent tunneling conductance for parallel configuration of Co2MnSi MTJs with high spin polarization
高自旋极化 Co2MnSi MTJ 平行配置的自旋相关隧道电导的温度依赖性
高自旋极化 Co2MnSi MTJ 平行配置的自旋相关隧道电导的温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Bing Hu, Kidist Moges, Hongxi Liu, Yusuke Honda, Tetsuya Uemura, and Masafumi Yamamoto]
通讯作者：
and Masafumi Yamamoto
共 80 条
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