Research on high-precision charge transfer using dopant atoms in silicon
Research on high-precision charge transfer using dopant atoms in silicon
硅中掺杂原子高精度电荷传输研究
批准号：
25289098
负责人：
Ono Yukinori
金额：
$11.56万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2013
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2013-04-01 至 2016-03-31
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DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[]
通讯作者：
Single dopant physics and electronics
单掺杂物理和电子学
单掺杂物理和电子学
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Hori, H. Tanaka, A. Fujiwara, Y. Ono, Y. Ono]
通讯作者：
Y. Ono
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Jo, T. Uchida, A. Tsurumaki-Fukuchi, M. Arita, A. Fujiwara, Y. Ono, K. Nishiguchi, H. Inokawa and Y. Takahashi]
通讯作者：
H. Inokawa and Y. Takahashi
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Tokinobu Watanabe, Masahiro Hori1, Toshiaki Tsuchiya, Yukinori Ono]
通讯作者：
Yukinori Ono
Electron pump by a single atom -Towards ultimate control of electronic charges-
单原子电子泵 -实现电子电荷的最终控制-
单原子电子泵 -实现电子电荷的最终控制-
DOI：
--
发表时间：
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Y. Ono, G. P. Lansbergen, M. Hori, A. Fujiwara]
通讯作者：
A. Fujiwara
共 24 条
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