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VOLTAGE GATED ION CHANNELS--STRUCTURE AND EXPRESSION

VOLTAGE GATED ION CHANNELS--STRUCTURE AND EXPRESSION
电压门控离子通道——结构和表达
批准号：
2265366
负责人：
LAWRENCE B SALKOFF
金额：
$36.3万
依托单位：
WASHINGTON UNIVERSITY
依托单位国家：
美国
项目类别：
财政年份：
1987
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1987-04-01 至 2000-05-31
来源：
https://reporter.nih.gov/project-details/2265366
关键词：
VOLTAGEGATEDIONCHANNELSSTRUCTURE

项目成果

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