权益分类	功能权益	普通用户	{{item.name}}会员
{{category.name}}	{{benefitItem.name}}

Learning and computation in disordered networks of memristors: theory and experiments

忆阻器无序网络中的学习和计算：理论和实验

基本信息

批准号：
EP/H014381/1
负责人：
Andrew Adamatzky
金额：
$ 82.04万
依托单位：
University of the West of England
依托单位国家：
英国
项目类别：
Research Grant
财政年份：
2010
资助国家：
英国
起止时间：
2010 至无数据
项目状态：
已结题

来源：
https://gtr.ukri.org/projects?ref=EP%2FH014381%2F1
关键词：
Learning computation disordered networks memristors

项目摘要

Memristor (memory resistor) is a device whose resistance changes depending on the polarity and magnitude of a voltage applied to the device's terminals and the duration of this voltage's application. The memristor is a non-volatile memory because the specific resistance is retained until the application of another voltage. A memristor implements a material version of Boolean logic and thus any logical circuit can be constructed from memristors. We propose to fabricate in laboratory experiments an adaptive, self-organized disordered network of memristors. This practical fabrication will be backed up by rigorous computer simulation experiments. The memristor network is comprised of a conglomerate of conductive polymer fibres interspersed with particles of solid electrolyte. The conglomerate is placed on a matrix of micro-electrodes capable of recording voltage and generating current sources and sinks. Machine learning techniques will be applied in order to design logical schemes and basic arithmetical circuits.

忆阻器(记忆电阻器)是一种其电阻随施加到设备端子上的电压的极性和大小以及该电压施加的持续时间而变化的器件。该忆阻器是非易失性存储器，因为在施加另一电压之前，该比电阻一直保持不变。忆阻器实现了布尔逻辑的材料版本，因此任何逻辑电路都可以由忆阻器构造。我们建议在实验室实验中制造一个自适应的、自组织的记忆阻无序网络。这种实际的制造将得到严格的计算机模拟实验的支持。忆阻器网络由散布着固体电解质颗粒的导电聚合物纤维组成。该集团被放置在能够记录电压并产生电流源和电流汇的微电极的矩阵上。将应用机器学习技术来设计逻辑方案和基本算术电路。

项目成果

期刊论文数量（10）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Phenomenology of Retained refractoriness: on Semi-Memristive discrete Media

DOI：
10.1142/s0218127412300364
发表时间：
2011-11
期刊：
ArXiv
影响因子：
0
作者：
A. Adamatzky;L. Chua
通讯作者：
A. Adamatzky;L. Chua

Different Behaviour Seen in Flexible Titanium Dioxide Sol-Gel Memristors Dependent on the choice of electrode material.

柔性二氧化钛溶胶-凝胶忆阻器中出现的不同行为取决于电极材料的选择。

DOI：
发表时间：
期刊：
Technical Digest of Frontiers in Electronic Materials, pages 577-578 (Nature Materials Conference) Aachen
影响因子：
0
作者：
Ella Gale (Author)
通讯作者：
Ella Gale (Author)

Aluminium electrodes effect the operation of titanium oxide sol-gel memristors

铝电极影响二氧化钛溶胶-凝胶忆阻器的工作

DOI：
发表时间：
期刊：
arxiv
影响因子：
0
作者：
Ella Gale (Author)
通讯作者：
Ella Gale (Author)

A quantum battle of the sexes cellular automaton

DOI：
10.1098/rspa.2012.0161
发表时间：
2012-11-08
期刊：
PROCEEDINGS OF THE ROYAL SOCIETY A-MATHEMATICAL PHYSICAL AND ENGINEERING SCIENCES
影响因子：
3.5
作者：
Alonso-Sanz, Ramon
通讯作者：
Alonso-Sanz, Ramon

On Memristive Properties of Slime Mould

粘菌的忆阻特性