半导体量子点自组织生长的理论研究
批准号：
10347125
项目类别：
专项基金项目
资助金额：
2.0 万元
负责人：
娄朝刚
依托单位：
学科分类：
表面界面与低维物理
结题年份：
2004
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
张晓兵、雷威、王保平
项目摘要
结项摘要
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中文摘要
应变自组织生长被认为是非常有希望的半导体.量子点的生长方式，其机理到目前还未完全清楚。目前比较流行的模型大部分是基于平均场理论（mean-field theory），即每个量子点周围吸附原子海(adatom sea)的化学势都等于具有平均尺寸的量子点的化学势。但试验表明量子点是在非平均场的环境下生长的。不同量子点周围吸附原子海的化学势常常是不一样的。本项目用计算机模拟的方法，对量子点在非平均场中的
英文摘要
三结GaInP/GaAs/Ge量子阱太阳能电池的制备方法及相关基础研究
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批准号：60976047
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项目类别：面上项目
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资助金额：10.0万元
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批准年份：2009
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负责人：娄朝刚
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依托单位：
国内基金
海外基金