课题基金 / 基金详情

用MOCVD方法生长GaAs／Si超晶格材料

批准号：
68880601
项目类别：
专项基金项目
资助金额：
6.0 万元
负责人：
楼立人
依托单位：
中国科学技术大学
学科分类：
半导体材料
结题年份：
1990
批准年份：
1988
项目状态：
已结题
项目参与者：
关键词：
MOCVD方法超晶格材料。GAAS／SI

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