课题基金 / 基金详情

面向纳米尺度MOSFET器件的缺陷物理及其快速测量技术研究

批准号：
--
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
30 万元
负责人：
高汭
依托单位：
工业和信息化部电子第五研究所
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
--
批准年份：
2022
项目状态：
未结题
项目参与者：
高汭
关键词：
纳米尺度MOSFET器件快速测量技术缺陷物理

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