拓扑绝缘体中的强关联现象
结题报告
批准号:
11047126
项目类别:
专项基金项目
资助金额:
4.0 万元
负责人:
封晓勇
依托单位:
学科分类:
A25.基础物理
结题年份:
2011
批准年份:
2010
项目状态:
已结题
项目参与者:
--
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中文摘要
本项目研究拓扑绝缘体中的强关联现象。超越当前主流的单粒子物理图像的处理方法,引入处理强关联电子系统的方法来处理拓扑绝缘体中的强关联问题,从而探究相互作用对拓扑序的影响。对于一维体系,用玻色化和重整化群非微扰地处理相互作用。而对于大于一维的体系,用平均场或无规相近似等方法处理。主要考察的对象包括量子相变、拓扑激发等。对拓扑绝缘体的研究可以增进人们对新物质形态的认识,发现新的规律和特性,为将来应用于生产实践做好理论基础。
英文摘要
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专利列表
拓扑近藤绝缘体及其表面态的研究
  • 批准号:
    11304071
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    25.0万元
  • 批准年份:
    2013
  • 负责人:
    封晓勇
  • 依托单位:
国内基金
海外基金