FinFET器件辐射效应Fin结构相关性及可靠性研究
批准号：
62374124
项目类别：
面上项目
资助金额：
55 万元
负责人：
曹艳荣
依托单位：
学科分类：
半导体电子器件与集成
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
曹艳荣
关键词：
曹艳荣的其他基金
相似基金
相关文献
薄势垒增强型AlGaN/GaN HEMT及可靠性研究
-
批准号：61404097
-
项目类别：青年科学基金项目
-
资助金额：26.0万元
-
批准年份：2014
-
负责人：曹艳荣
-
依托单位：
国内基金
海外基金