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半导体量子点的单光子发射与Rabi振荡的研究
结题报告
批准号：
10344002
项目类别：
专项基金项目
资助金额：
10.0 万元
负责人：
王取泉
依托单位：
武汉大学
学科分类：
A2205.光量子物理和量子光学
结题年份：
2004
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
王取泉、薛其坤、刘正猷、张平、蔡伟伟、王健
关键词：
量子态相干操纵。..半导体量子点单光子发射Rabi振荡
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
研究单个InGaAs自组织量子点的单光子发射非经典统计特性；改善其光发射的空间分布特性并研究其单光子发射的时间响应特性和激子的复合寿命；重点研究共振pi脉冲对提高单光子的产生效率和信噪比的作用，从而得到性能较好的单光子发射源。观测其Rabi振荡，并研究Rabi振荡衰减的机制；从而实现低衰减、超快响应速度的量子比特旋转。此项目的研究在量子信息处理和量子计算领域具有十分重要的意义，有助于了解和认识半导
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电荷转移对等离激元量子和非线性效应的调控及其应用
  • 批准号：
    --
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    62万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    王取泉
  • 依托单位：
    武汉大学
表面等离激元局域光场调控低维结构中的激子耦合与能量转移
  • 批准号：
    91750113
  • 项目类别：
    重大研究计划
  • 资助金额：
    80.0万元
  • 批准年份：
    2017
  • 负责人：
    王取泉
  • 依托单位：
    武汉大学
金属纳米结构量子等离激元二阶激发与二次谐波增强
  • 批准号：
    11674254
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    73.0万元
  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    王取泉
  • 依托单位：
    武汉大学
等离激元-激子的耦合杂化与量子相干特性研究
  • 批准号：
    11374236
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    89.0万元
  • 批准年份：
    2013
  • 负责人：
    王取泉
  • 依托单位：
    武汉大学
金属表面等离激元Fano共振效应及其应用研究
  • 批准号：
    11174229
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    75.0万元
  • 批准年份：
    2011
  • 负责人：
    王取泉
  • 依托单位：
    武汉大学
金属纳米天线与半导体低维结构的量子调控
  • 批准号：
    10874134
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    48.0万元
  • 批准年份：
    2008
  • 负责人：
    王取泉
  • 依托单位：
    武汉大学
半导体低维体系中自旋动力学过程的研究
  • 批准号：
    10534030
  • 项目类别：
    重点项目
  • 资助金额：
    180.0万元
  • 批准年份：
    2005
  • 负责人：
    王取泉
  • 依托单位：
    武汉大学
半导体量子点中量子比特旋转和量子逻辑门的研究
  • 批准号：
    10474075
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    35.0万元
  • 批准年份：
    2004
  • 负责人：
    王取泉
  • 依托单位：
    武汉大学
国内基金
海外基金