基于多体微扰理论和密度泛函理论的电子能量损失谱近阈精细结构第一原理计算
批准号：
10804018
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
14.0 万元
负责人：
高尚鹏
依托单位：
学科分类：
凝聚态物质结构、相变和晶格动力学
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
谭华、周俊
项目摘要
结项摘要
项目成果
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中文摘要
在已有的密度泛函理论框架下计算内壳层激发谱的工作基础上，进一步开展利用多体微扰理论方法考虑内壳层激发过程中内壳层空穴-激发电子相互作用、内壳层空穴-激发电子对寿命对实验观测谱线展宽方面的研究工作。在理论上深化对已有工作中采用激发态赝势和超晶胞近似考虑空穴应用的有效性的理解，解决现有的在六硼化钙、 二硼化镁、 氮化镓、氮化硼等材料中理论和实验谱线比较中发现的部分细节不一致的问题，在开放软件的基础上形成一套可以在国内外同行中传播的基于Bethe-Salpeter 方程计算电子能量损失谱近阈精细结构的程序，并利用此程序和申请者在赝势平面波方法中开发的程序结合与实验工作者开展合作。
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Ab initio calculation of ELNES/XANES of BeO polymorphs
BeO 多晶型物 ELNES/XANES 从头算
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DOI：
10.1002/pssb.200945574
发表时间：
2010-09-01
期刊：
PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS
影响因子：
1.6
作者：
[Gao, Shang-Peng]
通讯作者：
Gao, Shang-Peng
Band gap of C3N4 in the GW approximation
GW 近似中 C3N4 的带隙
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DOI：
10.1016/j.ijhydene.2012.04.138
发表时间：
2012-08-01
期刊：
INTERNATIONAL JOURNAL OF HYDROGEN ENERGY
影响因子：
7.2
作者：
[Xu, Yuan, Gao, Shang-Peng]
通讯作者：
Gao, Shang-Peng
ELNES for boron, carbon, and nitrogen K-edges with different chemical environments in layered materials studied by density functional theory
通过密度泛函理论研究层状材料中不同化学环境的硼、碳和氮 K 边的 ELNES
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DOI：
10.1016/j.ultramic.2011.10.011
发表时间：
2012-01-01
期刊：
ULTRAMICROSCOPY
影响因子：
2.2
作者：
[Lu, Jingying, Gao, Shang-Peng, Yuan, Jun]
通讯作者：
Yuan, Jun
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[Shang-Peng Gao, Tong Zhu]
通讯作者：
Tong Zhu
Ab initio calculation of pressure-induced phase transition of TiN polytypes
TiN 多型体压力诱导相变的从头计算
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DOI：
10.7498/aps.60.057102
发表时间：
2011-05
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[Gao Shang-Peng, Gu Xiong]
通讯作者：
Gu Xiong
共 6 条
五配位六方层状半导体的电子结构和性能研究
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批准号：--
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项目类别：省市级项目
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资助金额：0.0万元
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批准年份：2023
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负责人：高尚鹏
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依托单位：
超薄二氧化铪及相关介电材料电子结构和性能的第一原理计算研究
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批准号：19ZR1404300
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项目类别：省市级项目
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资助金额：0.0万元
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批准年份：2019
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负责人：高尚鹏
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依托单位：
国内基金
海外基金