贵金属氮化物的热稳定性设计与结构图形化

批准号：

10574147

项目类别：

面上项目

资助金额：

38.0 万元

负责人：

曹则贤

依托单位：

中国科学院物理研究所

学科分类：

表面界面与低维物理

结题年份：

2008

批准年份：

2005

项目状态：

已结题

项目参与者：

覃俭、马利波、杜允、宋蕊、纪爱玲、张强

关键词：

贵金属氮化物图形化结构硬电子学薄膜热稳定性

项目摘要

结项摘要

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中文摘要

贵金属氮化物是性质特殊的人工欠缺半导体,热稳定性差.但分解温度适中的贵金属氮化物既能满足硬电子学器件运行温度所要求的稳定性,又允许用激光/电子束微区加热快速转化为良导体,为快速经济大面积地制作超长金属纳米线,硬电子学器件的金属化层和微观导电引线,光存储器件,半导体/金属光子晶体或其它图形化微纳米结构提供了一个崭新的途径.本课题以第一性原理计算指导反应共溅射合成实验,获取分解温度约在500-600 C温区的Cu3N基贵金属氮化物,表征该材料的结构并研究其光学电学性质.研究激光/电子束加热制作图形化微结构的相关物理问题和它们表现的新物理现象.特别地,要研究热稳定性适中的该类新材料薄膜在SiC和GaN表面上的低温生长,为其在硬电子学领域的应用做预研究.

英文摘要