贵金属氮化物是性质特殊的人工欠缺半导体,热稳定性差.但分解温度适中的贵金属氮化物既能满足硬电子学器件运行温度所要求的稳定性,又允许用激光/电子束微区加热快速转化为良导体,为快速经济大面积地制作超长金属纳米线,硬电子学器件的金属化层和微观导电引线,光存储器件,半导体/金属光子晶体或其它图形化微纳米结构提供了一个崭新的途径.本课题以第一性原理计算指导反应共溅射合成实验,获取分解温度约在500-600 C温区的Cu3N基贵金属氮化物,表征该材料的结构并研究其光学电学性质.研究激光/电子束加热制作图形化微结构的相关物理问题和它们表现的新物理现象.特别地,要研究热稳定性适中的该类新材料薄膜在SiC和GaN表面上的低温生长,为其在硬电子学领域的应用做预研究.