利用硅的平面制造工艺，在硅衬底上进行图形化的掺杂；在超高真空系统中对掺杂后的样品做高温退火处理，制备图形化掺杂的硅表面；用扫描隧道显微术研究图形化掺杂表面的原子结构、局域化应力和应变以及原子在其上的扩散、吸附和成核的运动学行为；进一步特别研究图形化掺杂的硅表面对锗硅外延岛的形成、形态和分布的影响，并优化掺杂物、掺杂量、掺杂图形和外延生长的各种条件，促使纳米点和线以掺杂图形为摸板的自组织生长，探讨微