稀磁半导体量子点光学性质的理论研究
结题报告
批准号:
60376016
项目类别:
面上项目
资助金额:
22.0 万元
负责人:
常凯
学科分类:
F0405.半导体器件物理
结题年份:
2006
批准年份:
2003
项目状态:
已结题
项目参与者:
夏建白院士、杨文、李新征、金光生
国基评审专家1V1指导 中标率高出同行96.8%
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中文摘要
本项目主要研究稀磁半导体量子点中电子结构、光学性质。研究s-pd交换作用对稀磁半导体量子点尺寸,温度和磁离子分布等因素的依赖关系,以及对量子点光学性质的影响,并研究磁离子浓度,自旋涨落效应、外场等因素影响载流子自旋寿命的物理机制。本项目对于深化对稀磁半导体量子点的物理性质的理解和实现自旋极化的半导体光电器件具有重要的意义。
英文摘要
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DOI:--
发表时间:--
期刊:
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作者:W. Yang,;Kai Chang
通讯作者:Kai Chang
Spin relaxation in diluted mag
稀释磁力中的自旋弛豫
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:W. Yang, Kai Chang
通讯作者:W. Yang, Kai Chang
Nonlinear Rashba model and spi
非线性 Rashba 模型和 spi
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:W. Yang, Kai Chang
通讯作者:W. Yang, Kai Chang
Spin-polarized transport of tw
tw的自旋极化传输
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:W. Yang;Kai Chang
通讯作者:Kai Chang
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:Kai Chang, J. B. Xia
通讯作者:Kai Chang, J. B. Xia
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