本项目将从GaAs/GaAlAs半导体双子带二维电子气在超低温强磁场下的量子输运实验出发，通过调节磁场大小、倾斜角度、电子气浓度、样品温度和射频场等外加参数，测量样品的纵向电阻和霍尔电阻，研究新型高迁移率三五族半导体单量子阱双子带二维电子气各量子霍尔平台处及越变点处电子的赝自旋态（包含电子所属子带和本身电子自旋）和各种量子相变问题，并利用二维电子气纵向电导对外加射频场的响应即电致NMR信号，测定电子各自旋态的量子弛豫时间以及核自旋对电子态的消相干效应，探索低维半导体纳米结构在量子信息器件研究中的应用。