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面向表面增强拉曼散射应用的氧化钼器件的电场调控及其电荷转移拉曼增强机制研究
批准号:
62374097
项目类别:
面上项目
资助金额:
48 万元
负责人:
顾辰杰
依托单位:
学科分类:
F0404.半导体电子器件与集成
结题年份:
--
批准年份:
2023
项目状态:
未结题
项目参与者:
顾辰杰
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电场调控下氧化物半导体缺陷能级的演变及其SERS 特性研究
  • 批准号:
    LY22F040006
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    0.0万元
  • 批准年份:
    2021
  • 负责人:
    顾辰杰
  • 依托单位:
NBTI应力下缺陷结构演变诱发的高κ小尺寸MOS器件随机退化机制研究
  • 批准号:
    61704095
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    26.0万元
  • 批准年份:
    2017
  • 负责人:
    顾辰杰
  • 依托单位:
国内基金
海外基金