本项目拟采用水热法，在高温（400℃以上）合成MnxZn1-xO稀磁半导体晶体。通过研究水热反应温度、压力（填充度）、矿化剂种类、浓度、前驱物成分等对晶体形态、生长速度、晶体缺陷、杂质含量和均匀性的影响，寻找最佳的制备工艺条件。通过改变前驱物中Mn化合物含量，获得不同Mn掺杂浓度的MnxZn1-xO晶体。采用掺杂剂缓释技术，通过调整杂质释放速度，提高掺杂的均匀性和晶体质量。研究获得高居里温度（超过室温）的MnxZn1-xO稀磁半导体晶体的工艺条件。项目完成后，获得直径20mm 的高质量单晶。研究晶体在不同温度下的铁磁性。对所合成的晶体进行磁光性能、磁电性能和发光性能的研究。