水热法合成MnxZn1-xO稀磁半导体晶体
批准号：
50472037
项目类别：
面上项目
资助金额：
26.0 万元
负责人：
韦志仁
依托单位：
学科分类：
无机非金属半导体与信息功能材料
结题年份：
2007
批准年份：
2004
项目状态：
已结题
项目参与者：
尹利君、华大辰、杨志平、张子生、李志强、葛世艳、刘冲、田少华
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中文摘要
本项目拟采用水热法，在高温（400℃以上）合成MnxZn1-xO稀磁半导体晶体。通过研究水热反应温度、压力（填充度）、矿化剂种类、浓度、前驱物成分等对晶体形态、生长速度、晶体缺陷、杂质含量和均匀性的影响，寻找最佳的制备工艺条件。通过改变前驱物中Mn化合物含量，获得不同Mn掺杂浓度的MnxZn1-xO晶体。采用掺杂剂缓释技术，通过调整杂质释放速度，提高掺杂的均匀性和晶体质量。研究获得高居里温度（超过室温）的MnxZn1-xO稀磁半导体晶体的工艺条件。项目完成后，获得直径20mm 的高质量单晶。研究晶体在不同温度下的铁磁性。对所合成的晶体进行磁光性能、磁电性能和发光性能的研究。
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DOI：
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发表时间：
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期刊：
人工晶体学报， 37，2：297（2007）
影响因子：
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作者：
[韦志仁*,王伟伟,蔡淑珍,李 哲,]
通讯作者：
韦志仁*,王伟伟,蔡淑珍,李 哲,
Fabrication of Rutile Sn2 dope
金红石 Sn2 涂料的制备
金红石 Sn2 涂料的制备
DOI：
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发表时间：
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期刊：
影响因子：
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作者：
[韦志仁*,罗小平,付三玲,李 哲,]
通讯作者：
韦志仁*,罗小平,付三玲,李 哲,
DOI：
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发表时间：
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期刊：
发光学报， 27，1：31（2006）
影响因子：
--
作者：
[董国义*, 窦军红, 韦志仁, 葛世]
通讯作者：
董国义*, 窦军红, 韦志仁, 葛世
DOI：
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发表时间：
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期刊：
人工晶体学报， 37，3：565（2007）
影响因子：
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作者：
[蔡淑珍,李志强*, 徐丽云,郑一博,]
通讯作者：
蔡淑珍,李志强*, 徐丽云,郑一博,
DOI：
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发表时间：
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期刊：
人工晶体学报， 35，3：484（2006.）
影响因子：
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作者：
[韦志仁*, 刘超, 李军, 林琳]
通讯作者：
林琳
共 23 条
常压CVT制备高质量氧化锌体单晶
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批准号：50772027
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项目类别：面上项目
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资助金额：35.0万元
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批准年份：2007
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负责人：韦志仁
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依托单位：
国内基金
海外基金