FBAR（Film Bulk Acoustic Resonator），薄膜体波谐振器，是通过在半导体基板如硅，砷化镓等上面生长压电薄膜制成的新兴器件。由FBAR构成的滤波器有高频化、小型化和轻量化的特点，是唯一能够满足未来无线通信网络需要的第三代滤波器技术。因FBAR器件还可以和其他电子器件集成在同一块硅片上，所以在芯片系统（SOC：system on chip）研究中，也是核心技术之一。在FBAR结构中，氮化铝(AlN)被认为是最有前景的压电薄膜材料。本项目将首先研究高质量AlN薄膜的制备问题。其次，对其基本特性，主要是声学特性，如结晶特性，压电特性、弹性特性、温度特性，声衰减特性以及电学特性等进行研究。再次，用有限元法分析由AlN薄膜构成的FBAR的谐振特性，谐振频率温度稳定性和寄生杂波特性等。其中，如何提高FBAR中组成布拉格反射器的声反射效率是我们研究的重要任务之一。