氮化镓基新型液体传感器研制及传感机理研究
批准号:
61006056
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
罗卫军
依托单位:
学科分类:
半导体电子器件与集成
结题年份:
2013
批准年份:
2010
项目状态:
已结题
项目参与者:
王雪婷、蒲颜、陈中子、岳佳兴、汪涛
中文摘要
液体传感器在国防、工农业生产、环境保护等领域都有重要的应用。AlGaN/GaN材料体系所具有的高化学稳定性、高极化2DEG浓度、无毒环保、耐高温、便于系统集成等优点,使其非常适用于液体传感器的研制。目前国际上对于GaN基液体传感器传感机理的认识尚不明确,国内对于该领域的研究未见报道。本项目旨在研究极性液体分子与AlGaN/GaN异质结2DEG的相互作用机制,从而获得GaN基液体传感器的传感机理;采用理论分析、数学模拟和实验测量相结合,分别研究极性液体分子的偶极矩对异质结2DEG的影响、极性液体分子对表面电势的影响和"浮栅"模型表征的极性液体分子对异质结2DEG的影响,最终获得GaN基液体传感器的主要传感机制;设计研制GaN基新型液体传感器原型器件,并应用于极性高分子有机物和溶液pH值的检测。本项目的实施不仅能弥补我国在该领域的空白,而且在军事、环保、食品安全等领域都具有广泛的应用前景。
英文摘要
液体传感器在国防、工农业生产、环境保护等领域都有重要的应用。AlGaN/GaN材料体系所具有的高化学稳定性、高极化2DEG浓度、无毒环保、耐高温、便于系统集成等优点,使其非常适用于液体传感器的研制。目前国际上对于GaN基液体传感器传感机理的认识尚不明确,国内对于该领域的研究未见报道。本项目采用理论分析和实验测量相结合,研究极性液体分子对表面电势的影响,从而获得GaN基液体传感器的传感机理;此外,还设计研制了GaN基肖特基二极管结构和HEMT结构两种新型液体传感器原型器件,并应用于极性有机溶液(丙酮和乙醇)的检测。实验结果表明,所研制的两款GaN基新型液体传感器能够有效的实现对丙酮和乙醇溶液的检测。本项目的实施不仅能弥补我国在该领域的空白,而且在军事、环保、食品安全等领域都具有广泛的应用前景.
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A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE
A%20C波段%20GaN%20based%20线性%20power%20放大器%20with%2055.7%%20PAE
DOI:
10.1016/j.sse.2010.01.005
发表时间:
2010-04
期刊:
Solid-State Electronics
影响因子:
1.7
作者:
[Luo, Weijun, Chen, Xiaojuan, Zhang, Hui, Liu, Guoguo, Zheng, Yingkui, Liu, Xinyu]
通讯作者:
Liu, Xinyu
Dispersion effect on the current voltage characteristic of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
色散效应对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流电压特性的影响
DOI:
10.1088/1674-1056/20/9/097305
发表时间:
2011-09
期刊:
Chinese Physics B
影响因子:
1.7
作者:
[Pu Yan, Pang Lei, Chen Xiao-Juan, Yuan Ting-Ting, Luo Wei-Jun, Liu Xin-Yu]
通讯作者:
Liu Xin-Yu
Ku-band high power internally matched GaN HEMTs with 1.5 GHz bandwidth
Ku 波段高功率内部匹配 GaN HEMT,带宽 1.5 GHz
DOI:
--
发表时间:
2013
期刊:
MicroElectronics International
影响因子:
1.1
作者:
[Ge, Qin, Liu, Xinyu, Chen, Xiaojuan, Luo, Weijun, Liu, Guoguo]
通讯作者:
Liu, Guoguo
Stabilization network optimization of internally matched GaN HEMTs
内部匹配 GaN HEMT 的稳定网络优化
DOI:
10.1108/13565361111127331
发表时间:
2011-05
期刊:
MicroElectronics International
影响因子:
1.1
作者:
[Luo, W. J., Chen, X. J., Yang, C. Y., Zheng, Y. K., Wei, K., Liu, X. Y.]
通讯作者:
Liu, X. Y.
DOI:
10.1007/s11664-011-1864-x
发表时间:
2012-03
期刊:
Journal of Electronic Materials
影响因子:
2.1
作者:
[Y. Chen;Y. Jiang;P. Xu;Z. G. Ma;X. Wang;T. He;M. Peng;W. Luo;X. Y. Liu;L. Wang;H. Jia;H. Chen]
通讯作者:
Y. Chen;Y. Jiang;P. Xu;Z. G. Ma;X. Wang;T. He;M. Peng;W. Luo;X. Y. Liu;L. Wang;H. Jia;H. Chen
共 11 条
高频高压宽禁带半导体驱控一体单片集成功率芯片
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批准号:62534009
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项目类别:重点项目
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资助金额:227.00万元
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批准年份:2025
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负责人:罗卫军
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依托单位:
高能效Si/GaN互补晶体管异质集成基础研究
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批准号:62574216
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项目类别:面上项目
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资助金额:49.00万元
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批准年份:2025
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负责人:罗卫军
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依托单位:
国内基金
海外基金