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氮化镓基新型液体传感器研制及传感机理研究

批准号:
61006056
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
20.0 万元
负责人:
罗卫军
学科分类:
半导体电子器件与集成
结题年份:
2013
批准年份:
2010
项目状态:
已结题
项目参与者:
王雪婷、蒲颜、陈中子、岳佳兴、汪涛

项目摘要

结项摘要

项目成果

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中文摘要
液体传感器在国防、工农业生产、环境保护等领域都有重要的应用。AlGaN/GaN材料体系所具有的高化学稳定性、高极化2DEG浓度、无毒环保、耐高温、便于系统集成等优点,使其非常适用于液体传感器的研制。目前国际上对于GaN基液体传感器传感机理的认识尚不明确,国内对于该领域的研究未见报道。本项目旨在研究极性液体分子与AlGaN/GaN异质结2DEG的相互作用机制,从而获得GaN基液体传感器的传感机理;采用理论分析、数学模拟和实验测量相结合,分别研究极性液体分子的偶极矩对异质结2DEG的影响、极性液体分子对表面电势的影响和"浮栅"模型表征的极性液体分子对异质结2DEG的影响,最终获得GaN基液体传感器的主要传感机制;设计研制GaN基新型液体传感器原型器件,并应用于极性高分子有机物和溶液pH值的检测。本项目的实施不仅能弥补我国在该领域的空白,而且在军事、环保、食品安全等领域都具有广泛的应用前景。
英文摘要
液体传感器在国防、工农业生产、环境保护等领域都有重要的应用。AlGaN/GaN材料体系所具有的高化学稳定性、高极化2DEG浓度、无毒环保、耐高温、便于系统集成等优点,使其非常适用于液体传感器的研制。目前国际上对于GaN基液体传感器传感机理的认识尚不明确,国内对于该领域的研究未见报道。本项目采用理论分析和实验测量相结合,研究极性液体分子对表面电势的影响,从而获得GaN基液体传感器的传感机理;此外,还设计研制了GaN基肖特基二极管结构和HEMT结构两种新型液体传感器原型器件,并应用于极性有机溶液(丙酮和乙醇)的检测。实验结果表明,所研制的两款GaN基新型液体传感器能够有效的实现对丙酮和乙醇溶液的检测。本项目的实施不仅能弥补我国在该领域的空白,而且在军事、环保、食品安全等领域都具有广泛的应用前景.
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
A C-band GaN based linear power amplifier with 55.7% PAE
A%20C波段%20GaN%20based%20线性%20power%20放大器%20with%2055.7%%20PAE
DOI: 10.1016/j.sse.2010.01.005
发表时间: 2010-04
期刊: Solid-State Electronics
影响因子: 1.7
作者: [Luo, Weijun, Chen, Xiaojuan, Zhang, Hui, Liu, Guoguo, Zheng, Yingkui, Liu, Xinyu]
通讯作者: Liu, Xinyu
Dispersion effect on the current voltage characteristic of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
色散效应对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管电流电压特性的影响
DOI: 10.1088/1674-1056/20/9/097305
发表时间: 2011-09
期刊: Chinese Physics B
影响因子: 1.7
作者: [Pu Yan, Pang Lei, Chen Xiao-Juan, Yuan Ting-Ting, Luo Wei-Jun, Liu Xin-Yu]
通讯作者: Liu Xin-Yu
Ku-band high power internally matched GaN HEMTs with 1.5 GHz bandwidth
Ku 波段高功率内部匹配 GaN HEMT,带宽 1.5 GHz
DOI: --
发表时间: 2013
期刊: MicroElectronics International
影响因子: 1.1
作者: [Ge, Qin, Liu, Xinyu, Chen, Xiaojuan, Luo, Weijun, Liu, Guoguo]
通讯作者: Liu, Guoguo
Stabilization network optimization of internally matched GaN HEMTs
内部匹配 GaN HEMT 的稳定网络优化
DOI: 10.1108/13565361111127331
发表时间: 2011-05
期刊: MicroElectronics International
影响因子: 1.1
作者: [Luo, W. J., Chen, X. J., Yang, C. Y., Zheng, Y. K., Wei, K., Liu, X. Y.]
通讯作者: Liu, X. Y.
共 11 条
    高频高压宽禁带半导体驱控一体单片集成功率芯片
    • 批准号:
      62534009
    • 项目类别:
      重点项目
    • 资助金额:
      227.00万元
    • 批准年份:
      2025
    • 负责人:
      罗卫军
    • 依托单位:
    高能效Si/GaN互补晶体管异质集成基础研究
    • 批准号:
      62574216
    • 项目类别:
      面上项目
    • 资助金额:
      49.00万元
    • 批准年份:
      2025
    • 负责人:
      罗卫军
    • 依托单位:
    国内基金
    海外基金