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量子阱电子能态及与表面能态相互作用的实验光谱研究
结题报告
批准号：
10074068
项目类别：
面上项目
资助金额：
28.0 万元
负责人：
陆卫
依托单位：
中国科学院上海技术物理研究所
学科分类：
A2004.凝聚态物质电子结构
结题年份：
2003
批准年份：
2000
项目状态：
已结题
项目参与者：
傅英、李志锋、缪中林、蔡玮颖
关键词：
电子态表面态.量子阱.
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中文摘要
本项研究将在现代量子理论与先进材料生长技术基础上对半导体表面量子阱结构中的受限电子能态进行系统的光谱实验与理论研究,在原子层量级上关注表面态与量子阱中本征能态间南嗷プ饔茫谕诒砻嫣牟ê诎氲继逯械乃泶┠芰σ约坝氪叩缱犹脑踊矫婊竦靡恍陆峁ü庑┛匦匝芯课擅灼骷屑刈⒌谋砻嫘вμ峁┍匾奈锢砘
英文摘要
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Photoluminescence and photo-modulated reflectance spectra of ion-implanted GaAs/AlGaAs coupled quantum wells
DOI：--
发表时间：--
期刊：Journal of Applied Physics
影响因子：--
作者：Fu Y. Willander M. Miao ZL. Lu W;
通讯作者：
In-situ PR study of the confined states in AlGaAs/GaAs surface QW
AlGaAs/GaAs 表面 QW 约束态的原位 PR 研究
DOI：10.1016/s0022-0248(01)00642-x
发表时间：2001-07
期刊：Journal of Crystal Growth
影响因子：1.8
作者：Chen PP. Miao ZL. Lu W
通讯作者：Chen PP. Miao ZL. Lu W
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