本项目基于同步辐射X射线吸收谱学技术研究了表面修饰和元素掺杂对石墨烯原子局域结构及电子结构的影响及其与电学性质之间的关系，主要研究成果如下：1、以氧化石墨烯为原料，采用高温退火和化学还原方法对其进行还原，然后通过X射线吸收谱对比研究了不同还原过程中石墨烯表面氧化基团和电子结构的变化，提出了获得更佳还原效果的方法；2、在此研究基础上，利用水热条件下氧化石墨烯和氨水蒸汽之间的固-气反应以及后续的退火处理合成了不同氮掺杂结构的石墨烯材料，并通过X射线吸收谱研究了氮掺杂结构随处理温度的变化，发现了石墨烯由n型半导体向p型半导体转变与N掺杂结构变化之间的关系；3、以氟化石墨为原料，采用低温共熔碱液处理方法，然后通过在乙醇溶液进行超声剥离获得石墨烯纳米片，X射线吸收谱测试表明在熔碱液处理过程中氟化石墨上的氟原子被羟基基团所取代，形成羟基化石墨烯，该研究提供了一种有效的石墨烯衍生物合成方法，并在此基础上进一步探索了不同条件下氟化石墨烯的替代和还原反应情况。通过上述的X射线吸收谱学研究，积极探讨了表面修饰、元素掺杂和电学性质之间的相互关系及其内在作用机制，并初步阐明了局域结构、电子结构变化对石墨烯电学性质的影响规律，提出了实现石墨烯电学性能调制的一些有效途径。