利用LDA+DMFT方法研究delta钚的电子结构及物相稳定性
批准号:
10876042
项目类别:
联合基金项目
资助金额:
33.0 万元
负责人:
戴希
依托单位:
学科分类:
NSFC-中物院联合基金
结题年份:
2011
批准年份:
2008
项目状态:
已结题
项目参与者:
刘青梅、庄嘉宁、余睿、祁建青
中文摘要
LDA+DMFT是目前应用于强关联材料第一性原理计算的最可靠的方法,已经被广泛地应用到在对3d族、4d族过渡元素化合物以及5f族材料的第一性原理计算中,并且对于一些体系得到了比较令人满意的结果。在本课题的研究中,我们将利用自主研究开发的LDA+DMFT方法和相应的程序包,对delta钚的电子态特性和物相稳定性进行研究。我们将在优化和改进现有计算方法的基础之上,仔细研究delta钚的费米面特性和低能元激发、钚-稼合金的物态方程和物相稳定性问题以及钚的高压相图等重要的问题。期望能得到一系列有价值的研究成果。
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Pressure-induced competition between superconductivity and Kondo effect in CeFeAsO1-xFx (x=0.16 and 0.3)
CeFeAsO1-xFx(x=0.16 和 0.3)中压力引起的超导性与近藤效应之间的竞争
DOI:
10.1209/0295-5075/91/57008
发表时间:
2009-07
期刊:
EPL
影响因子:
1.8
作者:
[Dai, Xi, Sun, Liling, Dong, Xiaoli, Zhao, Zhongxian, Chen, Genfu, Che, Guangcan, Lu, Wei, Ding, Hong, Yang, Jie, Huang, Yuying, Zhang, Chao, Wu, Qi, Liu, Jing, Wei, Xiangjun, Jiang, Zheng, Zheng, Lirong, Hu, Ti, ou, Yi, Wei, Wang, Nanlin, Ren, Zhian]
通讯作者:
Ren, Zhian
Quantized Anomalous Hall Effect in Magnetic Topological Insulators
磁拓扑绝缘体中的量子化反常霍尔效应
DOI:
10.1126/science.1187485
发表时间:
2010-07-02
期刊:
SCIENCE
影响因子:
56.9
作者:
[Yu, Rui, Zhang, Wei, Fang, Zhong]
通讯作者:
Fang, Zhong
Crossover of the three-dimensional topological insulator Bi2Se3 to the two-dimensional limit
三维拓扑绝缘体Bi2Se3跨越到二维极限
DOI:
10.1038/nphys1689
发表时间:
2010-08-01
期刊:
NATURE PHYSICS
影响因子:
19.6
作者:
[Zhang, Yi, He, Ke, Xue, Qi-Kun]
通讯作者:
Xue, Qi-Kun
Model Hamiltonian for topological insulators
拓扑绝缘体的哈密顿模型
DOI:
10.1103/physrevb.82.045122
发表时间:
2010-07-26
期刊:
PHYSICAL REVIEW B
影响因子:
3.7
作者:
[Liu, Chao-Xing, Qi, Xiao-Liang, Zhang, Shou-Cheng]
通讯作者:
Zhang, Shou-Cheng
Crossover of the three-dimensional topological insulator Bi2Se3 to the two-dimensional limit (vol 6, pg 584, 2010)
三维拓扑绝缘体 Bi2Se3 到二维极限的交叉(第 6 卷,第 584 页,2010 年)
DOI:
--
发表时间:
2010
期刊:
Nature Physics
影响因子:
19.6
作者:
[Zhang, Yi, Shan, Wen-Yu, Shen, Shun-Qing, Niu, Qian, Qi, Xiao-Liang, Zhang, Shou-Cheng, Ma, Xu-Cun, Xue, Qi-Kun, He, Ke, Chang, Cui-Zu, Song, Can-Li, Wang, Li-Li, Chen, Xi, Jia, Jin-Feng, Fang, Zhong, Dai, Xi]
通讯作者:
Dai, Xi
共 7 条
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