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Si衬底上低温外延GaAs—离子集团束技术研究

批准号：
69176017
项目类别：
面上项目
资助金额：
4.0 万元
负责人：
余怀之
依托单位：
有研工程技术研究院有限公司
学科分类：
半导体材料
结题年份：
1994
批准年份：
1991
项目状态：
已结题
项目参与者：
吕玉林、冯德绅
关键词：
GaAs外延 离子集团束 低温外延 Si衬底 半导体薄膜

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