Co-W磁性层/Ru-X下底层晶格错配对Co-W磁晶各向异性能的影响及新型Ru基下底层的设计
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:50901016
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:20.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0107.金属功能材料
- 结题年份:2012
- 批准年份:2009
- 项目状态:已结题
- 起止时间:2010-01-01 至2012-12-31
- 项目参与者:裴剑芬; 石锋; 卢晨阳; 王园园; 李坤;
- 关键词:
项目摘要
本项目拟针对新型垂直磁记录介质Co-W基合金,设计不同Ru基下底层与Co-W层的晶格错配,探讨晶格错配对Co-W层磁晶各向异性能的影响。利用DC磁控溅射系统制备Co-W基磁性薄膜,通过控制Co-W磁性薄膜层和下底层的成分及膜厚,实现不同错配度(正和负)的Co-W/Ru-X取向附生薄膜。利用VSM测量Co-W的磁晶各向异性能,并利用高分辨TEM和XRD等手段详细研究磁性薄膜层的微观结构特征变化,揭示不同错配度对Co-W层磁晶各向异性能的影响,并由此获得提高Co-W基磁性薄膜磁晶各向异性能的新型下底层合金,为新一代超高密度磁记录材料的实际生产和应用提供理论基础。
结项摘要
本项目研究了磁性诱发两相分离型CoW基合金薄膜的微观结构特征及其磁学性能。利用直流磁控溅射方法在MgO(111)单晶基板上制备了不同厚度的CoW/Ru薄膜,通过改变磁性层和下底层的成分,研究了薄膜层的取向附生关系、晶体微观结构特性和磁学性能,分析了磁性薄膜层CoW磁晶各向异性常数的微观结构影响因素,获得了具有高磁晶各向异性的新型高密度垂直磁记录材料。主要研究结果如下:.(1)在具有hcp结构的Ru下底层上实现了CoW薄膜的外延取向生长。基板、下底层和磁性层具有良好的取向附生关系:.Co-W(00•1)[11(―)•0] // Ru(00•1)[11(―)•0] // MgO(111)[11(―)0]..(2)CoW薄膜的c轴分散角值∆θ50均小于3°,易磁化轴垂直于薄膜表面,具有良好的沿c轴择优取向。Φ扫描结果表明Co-W薄膜具有六重对称性,进一步确认了Co-W薄膜的良好hcp结构特征。外延生长薄膜中产生的原子堆垛层错主要为生长层错α,且密度均低于10%,薄膜中没有变形层错存在。.(3)CoW薄膜的晶格常数a和c随着膜厚和W含量的增加而增大,c/a逐渐增大。磁晶各向异性能Ku随着c/a的减小而增大。分析结果表明,堆垛层错和fcc/hcp比对CoW磁晶各向异性的影响不大,晶格常数比c/a是影响磁晶各向异性Ku的最主要微观结构因素。.(4)添加Cr/V改变Ru下底层成分不改变CoW磁性层的取向附生关系和晶体结构特征。随着Cr/V的添加,下底层和磁性层的晶格错配度发生变化,对CoW磁性层的晶格常数比有较明显的影响。下底层成分的改变,进一步证实了晶格常数比c/a是影响磁晶各向异性Ku的最主要微观结构因素。本研究中新型下底层成分的设计,可一定程度上促进CoW磁性薄膜磁晶各向异性的提高。.(5)随着磁性层中Pt的添加,Co85W15薄膜的饱和磁化强度Ms略有增加,由400 ~500emu/cc增加到500~600emu/cc。Co-W基薄膜表现出很高的磁晶各向异性,最高可达6.1×106erg/cc,已经达到Tbit/in2级的记录密度要求。磁晶各向异性常数Ku随着膜厚的减小而增大,随着Pt含量的增加而升高。.(6)薄膜膜厚和成分的改变,促使体各向异性Kv和表面各向异性Ks发生变化,对磁晶各向异性常数均产生一定的影响,导致Ku与膜厚倒数1/t成非单调线性关系。
项目成果
期刊论文数量(8)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(1)
氮化过程中Ti薄膜的电子结构分析
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:材料与冶金学报
- 影响因子:--
- 作者:王建军;粕壁善隆;刘春明;WANG Jian-jun1,2,KASUKABE Yoshitaka3,LIU Chun-ming;2.School of Materials;Metallurgy,Northeastern;3.Center for International Exchange,Tohoku Univers
- 通讯作者:3.Center for International Exchange,Tohoku Univers
Properties of B4C/Al-B4C composite with a two-layer structure
两层结构B4C/Al-B4C复合材料的性能
- DOI:10.1016/j.materresbull.2013.01.013
- 发表时间:2013-04-01
- 期刊:MATERIALS RESEARCH BULLETIN
- 影响因子:5.4
- 作者:Yue, XinYan;Wang, JianJun;Ru, HongQiang
- 通讯作者:Ru, HongQiang
Effects of high magnetic field on the structure evolution, magnetic and electrical properties of the molecular beam vapor deposited FexNi1-x (0.3x0.8) thin films
强磁场对分子束气相沉积FexNi1-结构演化、磁电性能的影响
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Journal of Magnetism and Magnetic Materials
- 影响因子:2.7
- 作者:Yongze Cao;Qiang Wang;Guojian Li;Jiaojiao Du;Chun Wu;JiCheng He
- 通讯作者:JiCheng He
Changes of Crystal Structure in Ti Thin Films During N Implantation
N注入过程中Ti薄膜晶体结构的变化
- DOI:--
- 发表时间:2012
- 期刊:Dongbei Daxue Xuebao/journal of Northeastern University
- 影响因子:--
- 作者:Wang, Jian-Jun1;Kasukabe, Yoshitaka2;Liu, Chun-Ming1
- 通讯作者:Liu, Chun-Ming1
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- 通讯作者:王建军
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- 发表时间:2011
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- 作者:岳强;周俐;王建军
- 通讯作者:王建军
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