本项目拟对气相外延方式取向生长（准）一维纳米材料的机理进行研究。通过自建的专用生长装置，对ZnO、SnO2、TiO2等半导体材料以气－液－固(VLS) 和气－固（VS）模式生长时处于纳米尺度的相界面做微观的结构分析，揭示这两种最基本的生长模式中取向外延的微观机理和过程；通过测试生长界面对温度等宏观动力学因素的响应规律，结合推算纳米尺度生长顶端的表面应力和相结构的各向异性，综合考察生长取向变化的内在原因。拟将取向成像显微术（TSL）和金属电镀包埋法高分辨透射电镜制样术用于界面的研究。用计算材料软件进行生长界面的原子级模型结构分析，以及采用动力学Monte Carlo计算技术模拟(准)一维晶体材料的生长界面动力学规律。进一步将获得的理论结果来尝试设计和生长更广泛的半导体低维功能结构，如调控（准）一维压电晶体的外表面晶面类型，设计生长周期型功能外形低维结构组装体等。