绝缘层上硅纳米槽波导三向滤波器研究

绝缘层上硅（SOI）槽（SLOT）波导由两侧高折射率Si及中间低折射率缝隙共同组成，由于垂直于高低折射率界面电场分量的不连续，可实现低折射率层内光的传输，通过调整低折射率层宽度及折射率大小，可灵活实现SLOT波导调制、探测、生物传感及波导器件的偏振、温度不灵敏。SOI SLOT波导的应用可大大缩小硅基光波导器件芯片尺寸，提高器件的集成度，具有广泛的应用前景。. 本课题主要研究SOI SLOT波导单模条件及波导结构与模式折射率的关系，SOI SLOT波导偏振与SLOT波导缝隙宽度、折射率间的关系，SOI SLOT波导微环谐振器谐振波长与微环参数的关系，设计基于SOI SLOT波导微环谐振型三向滤波器结构参数。开展SLOT波导电子束扫描光刻、诱导耦合等离子刻蚀关键制备工艺及SLOT波导偏振相关性的实验研究，制备出SOI SLOT波导微环谐振型三向滤波器，促进我国硅基微纳波导器件的发展。