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VEGF信号系统在新生鼠缺氧缺血后血脑屏障保护中的调控机制
结题报告
批准号:
81300524
项目类别:
青年科学基金项目
资助金额:
23.0 万元
负责人:
唐军
依托单位:
学科分类:
H0421.新生儿相关疾病
结题年份:
2016
批准年份:
2013
项目状态:
已结题
项目参与者:
张莉、杨晓燕、熊涛、赵静、潘玲丽、罗黎力、滑心恬、李玲玲、白小红
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中文摘要
新生儿缺氧缺血性脑病(HIE)是新生儿期严重疾病,发病率高,后遗症重,临床无特异治疗手段,一直是围生医学、神经科学等多学科研究的热点和难点。缺氧缺血性脑损伤(HIBD)后血脑屏障(BBB)通透性增加是继发脑水肿加重脑损伤的病理基础。新生儿期未成熟的大脑中存在有别于成熟大脑的活跃血管内皮生长因子(VEGF)信号。我们前期研究发现该信号系统以特有的方式在缺氧后可减轻BBB通透性从而减轻脑水肿,但VEGF在此保护作用中的信号传递机制和调控机制不清楚。本课题中,我们将以VEGF及受体信号系统为切入点,通过建立不同日龄大鼠HIBD模型和在培养的脑内皮细胞中制作体外BBB模型,并通过诱导内源性VEGF分泌和体外使用VEGF,模拟体内缺氧缺血条件下VEGF的作用状态;从整体、细胞及分子水平研究VEGF信号系统在HIBD后BBB通透性改变中的作用机制及调控机制,为临床新生儿HIE的治疗提供理论指导。
英文摘要
Hypoxia-ischemic encephalopathy(HIE) is a rinatal period disease which has a bad strong impact on children growing development. This disease has high morbidity and badly sequela.There aren't any special useful treatment means in clinical now.Therefore, HIE is becoming a hot and difficult problem of many subjects research such as perinatology, pediatrics, neuroscience, etcetera. The increase in blood brain barrier(BBB) permeability after Hypoxia-ischemic brain damage (HIBD )will induce cerebral edema and exacerbate injury. The newborn brain has active Vascular Endothelial Growth Factor(VEGF) signal which different from adult brain. In our prior period study,we have found that VEGF signal may confer a protective response to subsequent toxic exposure to hypoxia. The transmission of neural signal and cytologic fundament are not cleare. The project cut-in point to signal transfer systems of VEGF. We will make rats model of HIBD at different ages. BBB endothelial cellmonolayers will be cultured for making BBB model in vitro. We will imitate VEGF signal in internal environment after HIBD by inducing endogenous VEGF secreting and by using VEGF in vitro. We will study the mechanisms of VEGF signal system which influence BBB permeability after HIBD at different levels such as the whole level,cellular level,molecular level . We will try to clarify the protective regulation mechanisms of VEGF signal transfer systems on BBB permeability after HIBD ,and to provide scientific basis for treatment of HIE.
新生儿缺氧缺血性脑病(HIE)是新生儿期严重疾病,是围生医学、神经科学等多学科研究的热点和难点。缺氧缺血性脑损伤(HIBD)后血脑屏障(BBB)通透性增加是继发脑水肿加重脑损伤的病理基础。新生儿期未成熟的大脑中存在有别于成熟大脑的活跃血管内皮生长因子(VEGF)信号,该信号系统以特有的方式在缺氧后可减轻BBB通透性从而减轻脑水肿。目的:探究VEGF及受体信号系统在HIBD后BBB通透性改变中的作用机制及调控机制,为临床新生儿HIE的治疗提供理论指导。方法:建立7、21、60日龄大鼠HIBD模型,通过PCR技术检测不同年龄大鼠HIBD后VEGF、VEGFR1、VEGFR2 mRNA的表达情况,通过Western杂交分析技术检测不同年龄大鼠HIBD后VEGF、VEGFR1、VEGFR2蛋白质的表达特点,检测脑组织含水量反映HIBD后脑水肿程度,通过透射电镜观察不同年龄大鼠HIBD后内皮细胞紧密连接的变化及BBB通透性的变化情况。结果:7、21、60日龄大鼠HIBD后VEGF及VEGFR1 mRNA表达增多,抗体组表达进一步增加,与HI组比较差异有统计学意义;VEGFR2 mRNA表达减少,抗体组与HI组相比差异有统计学意义;VEGF及VEGFR1蛋白表达增加,VEGFR2表达减少;透射电镜观察不同年龄大鼠各组血脑屏障情况显示,Sham组金属镧颗粒沉积于血管腔内,血管内皮细胞及周围组织结构完整,未见明显损伤;HI组、抗体组及IgG组可见镧颗粒不同程度透过毛细血管内皮细胞间隙,进入脑组织;超微结构观察可见血管周围脑组织结构紊乱,内皮细胞肿胀,细胞核染色质边集等。结论:本课题通过体内实验明确了在HIBD发生后,成熟相关性的血脑屏障的损伤程度被VEGF信号系统所调控,揭示新生脑“低氧预处理”机制在HIBD大鼠血脑屏障损伤的保护作用。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
DOI:--
发表时间:2015
期刊:四川医学
影响因子:--
作者:冯艺;唐军;屈艺;母得志
通讯作者:母得志
DOI:--
发表时间:2015
期刊:临床儿科杂志
影响因子:--
作者:陈超;石晶;唐军;母得志
通讯作者:母得志
DOI:--
发表时间:2015
期刊:中国当代儿科杂志
影响因子:--
作者:陈大鹏;唐军;熊英;母得志
通讯作者:母得志
DOI:--
发表时间:2015
期刊:中国当代儿科
影响因子:--
作者:陈超;唐军;赵静;母得志
通讯作者:母得志
DOI:--
发表时间:2015
期刊:Journal of Child Neurology
影响因子:--
作者:Huang Jichong;Tang Jun;Qu Yi;Zhang Li;Zhou Yan;Bao shan;Mu Dezhi
通讯作者:Mu Dezhi
面向等离子体部件增材制造一体化成型制备及其辐照效应研究
  • 批准号:
    12375271
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    54万元
  • 批准年份:
    2023
  • 负责人:
    唐军
  • 依托单位:
激活素A(Act A)在细胞移植治疗新生鼠脑白质损伤中的作用和机制
  • 批准号:
    82171710
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    54万元
  • 批准年份:
    2021
  • 负责人:
    唐军
  • 依托单位:
聚变堆钨钾合金PFM中子/离子辐照损伤初步对比研究
  • 批准号:
    11975160
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    65.0万元
  • 批准年份:
    2019
  • 负责人:
    唐军
  • 依托单位:
钨钾合金-低活化钢面向等离子体部件功能梯度材料的制备及辐照损伤行为研究
  • 批准号:
    11775149
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    66.0万元
  • 批准年份:
    2017
  • 负责人:
    唐军
  • 依托单位:
聚变堆面向等离子体材料钨钾合金的辐照损伤及其机理研究
  • 批准号:
    11475118
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    90.0万元
  • 批准年份:
    2014
  • 负责人:
    唐军
  • 依托单位:
碳纳米管的修饰及其对U的吸附行为研究
  • 批准号:
    91226108
  • 项目类别:
    重大研究计划
  • 资助金额:
    80.0万元
  • 批准年份:
    2012
  • 负责人:
    唐军
  • 依托单位:
基于同位素效应的高性能IVA族笼状物热电材料研究
  • 批准号:
    11274234
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    87.0万元
  • 批准年份:
    2012
  • 负责人:
    唐军
  • 依托单位:
国内基金
海外基金