原位堆叠高迁移率自对准顶栅IGZO TFT及源漏区低阻化机理
批准号：
62304128
项目类别：
青年科学基金项目
资助金额：
30 万元
负责人：
彭聪
依托单位：
学科分类：
集成电路设计
结题年份：
--
批准年份：
2023
项目状态：
未结题
项目参与者：
彭聪
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