InSb/Sb超晶格纳米线阵列制备与电输运性能研究

本项目将脉冲电沉积技术与多孔氧化铝模板有机结合，制备具有不同结构特征的InSb/Sb超晶格纳米线阵列，探讨制备条件对纳米线超晶格的结构、组分及结晶质量的影响，进而实现对超晶格纳米线阵列的尺寸、结构和成分的精确控制。重点研究InSb/Sb超晶格纳米线阵列的电输运性能，揭示其性能与超晶格尺寸、结构的关联性；结合I－V特征曲线、电阻温度关系的测量与研究，探讨超晶格结构（尺寸、层厚、界面）对电输运性能的影响，以期对超晶格的尺寸、库仑阻塞效应有深入理解，进一步认识超晶格纳米线阵列奇异输运性能的物理本质。由于材料所具有的高的载流子迁移率和特殊的尺寸与外场依赖特性，InSb/Sb超晶格纳米线阵列的新奇输运特性值得期待。项目的研究从理论和实验两方面对InSb/Sb超晶格的输运性能的掌握具有重要的启示和参考价值，对其在微纳电子器件中的应用研究具有指导意义。