5d过渡金属氧化物的数值计算模拟研究

批准号:
11174124
项目类别:
面上项目
资助金额:
60.0 万元
负责人:
万贤纲
依托单位:
学科分类:
A2004.凝聚态物质电子结构
结题年份:
2015
批准年份:
2011
项目状态:
已结题
项目参与者:
吴飞翔、基维静、陈忠、张冲、王万胜
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中文摘要
电子关联效应能够导致非常丰富的物理特性,一直是人们高度关注的热点和难点课题。电子的自旋轨道耦合也对材料的性质有特别的影响,尤其是最近人们发现自旋轨道耦合将导致一种全新的物理现象:拓扑绝缘体。5d元素既有着大的自旋轨道耦合,也有着不可忽略的电子关联作用。所以系统的研究5d过渡金属氧化物有重要的学术价值和巨大的应用前景。本项目拟用LDA+DMFT方法和有效模型分析相结合研究5d过渡金属氧化物。重点研究Os, Ir, Pt等5d元素的尖晶石结构、烧绿石结构和双钙钛矿结构氧化物。研究晶体结构、压力、替代式掺杂对材料物理性质的影响。着重探讨电子关联和自旋轨道耦合共同作用对材料的独特影响。探寻可能的新拓扑量子态(如:有特别磁电响应的Axion绝缘体、有特别费米面的拓扑Dirac金属等)。找寻可能的低场下发生金属绝缘体相变的材料。为设计包含5d电子的具有特殊性质的材料提供理论依据
英文摘要
通过四年的努力,项目对以5d过渡金属材料体系为代表的强自旋轨道耦合电子关联体系物性研究上取得了进展。主要的工作为:(1)预言5d过渡金属氧化物CaOs2O4和SrOs2O4是具有特别磁电响应的Axion绝缘体;(2)定出5d过渡金属氧化物NaOsO3的磁基态并确认其为Slater绝缘体;(3)5d过渡金属氧化物LiOsO3奇异“铁电金属”结构转变机制研究;(4)成功预言压力诱导5d过渡金属二硫族化合物WTe2拱形超导;(5)预言强自旋轨道耦合体系电声子耦合导致p波超导体;(6)预言电荷密度波(CDW)不稳定诱导的新型层状BiS2超导;(7)预言XYBi(X=Ba,Eu; Y=Cu,Ag,Au)等强自旋轨道耦合体系里面有拓扑半金属。共完成学术论文21篇,其中1篇Physical Review Letters;2 篇Nature Communications;6 篇Physical Review B;2 篇Scientific Reports。
期刊论文列表
专著列表
科研奖励列表
会议论文列表
专利列表
Electronic structure and magnetic properties of NaOsO3
NaOsO3的电子结构和磁性能
DOI:10.1103/physrevb.85.174424
发表时间:2012-05
期刊:Phys. Rev. B
影响因子:--
作者:Yongping Du, Xiangang Wan*, Li Sheng, Jinming Dong
通讯作者:Yongping Du, Xiangang Wan*, Li Sheng, Jinming Dong
Pressure-driven dome-shaped superconductivity and electronic structural evolution in tungsten ditelluride.
二碲化钨中压力驱动的圆顶超导性和电子结构演化
DOI:10.1038/ncomms8805
发表时间:2015-07-23
期刊:Nature communications
影响因子:16.6
作者:Pan XC;Chen X;Liu H;Feng Y;Wei Z;Zhou Y;Chi Z;Pi L;Yen F;Song F;Wan X;Yang Z;Wang B;Wang G;Zhang Y
通讯作者:Zhang Y
Antiferromagnetic Kondo lattice in the layered compound CePd 1 -x Bi 2 and comparison to the superconductor LaPd 1 -x Bi 2
层状化合物 CePd 1 -x Bi 2 中的反铁磁 Kondo 晶格及其与超导体 LaPd 1 -x Bi 2 的比较
DOI:10.1103/physrevb.92.045112
发表时间:2015
期刊:
影响因子:--
作者:Fei Han;X. Wan;D. Phelan;C. Stoumpos;Mihai I. Sturza;C. Malliakas;Qing’an Li;T. Han;Qingbiao Zhao;D. Chung;M. Kanatzidis
通讯作者:M. Kanatzidis
DOI:10.1038/ncomms5144
发表时间:2014-07-11
期刊:NATURE COMMUNICATIONS
影响因子:16.6
作者:Wan, Xiangang;Savrasov, Sergey Y.
通讯作者:Savrasov, Sergey Y.
DOI:10.1039/c3nr02013d
发表时间:2013-10
期刊:Nanoscale
影响因子:6.7
作者:C. Ge;X. Wan;E. Pellegrin;Zhiwei Hu;S. Manuel Valvidares;A. Barla;W. Liang;Y. Chu;W. Zou;Youwei Du
通讯作者:C. Ge;X. Wan;E. Pellegrin;Zhiwei Hu;S. Manuel Valvidares;A. Barla;W. Liang;Y. Chu;W. Zou;Youwei Du
磁性拓扑量子态的数值计算理论研究
- 批准号:11834006
- 项目类别:重点项目
- 资助金额:310.0万元
- 批准年份:2018
- 负责人:万贤纲
- 依托单位:
关联电子系统奇异物性的数值计算模拟研究
- 批准号:11374137
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:76.0万元
- 批准年份:2013
- 负责人:万贤纲
- 依托单位:
关联电子系统的数值模拟研究
- 批准号:10974082
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:34.0万元
- 批准年份:2009
- 负责人:万贤纲
- 依托单位:
新型功能材料的数值计算模拟研究
- 批准号:10774067
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:30.0万元
- 批准年份:2007
- 负责人:万贤纲
- 依托单位:
高压下物体性质的数值计算模拟研究
- 批准号:10304007
- 项目类别:青年科学基金项目
- 资助金额:22.0万元
- 批准年份:2003
- 负责人:万贤纲
- 依托单位:
国内基金
海外基金
